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发明公开
一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116156903A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310154930.1

申请日：2023-02-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 孙华斌 , 陈赓 , 丁凯瑞 , 吴洁 , 陈子龙 , 于志浩 , 徐勇

IPC: H10K10/46 , H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种环保溶液法制备铁电薄膜有机半导体晶体管，属于半导体制造技术领域。该器件包括：衬底；HfO2/ZrO2/Al2O3/HfO2/ZrO2交叠层；有机半导体层；金属顶电极。通过1:1交叠旋涂HfO2和ZrO2前体溶液，可以得到铁电极化均匀的HZO薄膜，通过插入超薄的Al2O3能够有效抑制HZO膜单斜相形成，保证了HZAHZ膜铁电性在总厚度增加后铁电性不会退化。该HZO薄膜的溶液法采用的溶剂环保，制备工艺简单，设备成本低，并且适用有机半导体晶体管。

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