公开(公告)号：CN112271252A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011048230.7

申请日：2020-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王宇 ,  赵义泽 ,  申达琦 ,  陈欣彤 ,  周律洋 ,  童祎

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于过渡金属碳化物的热感应忆阻器及其制备方法，忆阻器包括由下至上依次层叠的硅衬底、底电极层、阻变层以及顶电极层，所述底电极层与所述顶电极层二者通过所述阻变层实现分隔；所述阻变层的材质为Ti3C2。本发明针对传统忆阻器中所普遍存在的电学特性不稳定、重复性差等问题，创造性将碳化钛作为忆阻器的阻变层材料，借助二维结构Mn+1Xn材料所具有的良好电学特性、铁磁性、抗氧化性及热稳定性等特点，不仅显著地提升了忆阻器成品的稳定性，还推动了类脑忆阻器在接近人体温度情况下模拟神经突触的相关研究。

公开(公告)号：CN114068615A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111324977.5

申请日：2021-11-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘毅 ,  王宇 ,  陈欣彤 ,  闫宇 ,  童祎

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法，属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元，电极包括顶电极和底电极，顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方，阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接，第n个阵列与第n‑1个阵列在竖直方向上错位连接，同时，第n个阵列所在的水平面置于第n‑1个阵列所在的水平面的上方或下方，第n个阵列与第n‑1个阵列通过同一电极连接，其中n为不小于2的整数。本发明提出的忆阻器3D阵列架构，通过将忆阻器阵列展开成平面形式，以定点测试单个忆阻器；同时，新的结构有良好的散热效果，可以进行长时间、海量的多比特数据的交换。

公开(公告)号：CN111900250A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010720981.2

申请日：2020-07-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈欣彤 ,  申达琦 ,  王宇 ,  童祎 ,  连晓娟 ,  万相

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维过渡金属材料的忆阻器及其制备方法，忆阻器的结构包括由下至上按序依次层叠设置的硅衬底、底电极层以及顶电极层，在所述底电极层与所述顶电极层二者之间设置有阻变层且二者通过所述阻变层实现分隔；所述阻变层的材质为碳化钒。本发明丰富了二维过渡金属材料忆阻器的种类，对类脑器件模拟神经元以及神经突触的相关研究起到了很大的推动作用。