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公开(公告)号：CN117457052A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311540894.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种用于提高RRAM存储器件及RRAM存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法，包括FPGA、数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)及外围电路；所述算法的基本原理是使RRAM器件两端产生电压降，从而使RRAM的阻态发生变化；算法所施加在RRAM两端的电压值由低到高依次递增，直到数据写入正确；每个写脉冲之间有一个读脉冲，用于验证写数据的结果，从而提高写数据的可靠性；所述算法的电路实现方法基于FPGA、数模转换器、模数转换器及外围电路。本发明提出的算法可以提高RRAM写数据的可靠性，由于FPGA的硬件可编程特点，可以针对不同的RRAM器件产生合适的读写脉冲，较为灵活，便于科研测试以及产业化应用。
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