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公开(公告)号：CN118019441A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311541113.8
申请日：2023-11-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种基于MXene/NbOX材料的忆阻器件及其制备方法。该忆阻器件的结构为铂电极/MXene/NbOX/钨电极，由顶电极、阻变层和底电极依次排列而成。其中阻变层包括介质层和覆盖在其上方的MXene材料膜。本发明引入二维材料作为NbOX阻变层的组成部分，赋予器件出色的阈值切换特性和稳定性，这对于模拟神经网络中的突触和神经元可塑性具有重要意义。此外，所提供的忆阻器件制备方法简便高效，成本低，适用于工业规模生产。
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公开(公告)号：CN117457052A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311540894.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种用于提高RRAM存储器件及RRAM存储阵列写数据可靠性的步进式脉冲编程算法及其电路实现方法，包括FPGA、数模转换器(DAC)、模数转换器(ADC)及外围电路；所述算法的基本原理是使RRAM器件两端产生电压降，从而使RRAM的阻态发生变化；算法所施加在RRAM两端的电压值由低到高依次递增，直到数据写入正确；每个写脉冲之间有一个读脉冲，用于验证写数据的结果，从而提高写数据的可靠性；所述算法的电路实现方法基于FPGA、数模转换器、模数转换器及外围电路。本发明提出的算法可以提高RRAM写数据的可靠性，由于FPGA的硬件可编程特点，可以针对不同的RRAM器件产生合适的读写脉冲，较为灵活，便于科研测试以及产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119401951A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411404308.2
申请日：2024-10-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明提供一种四路Buffer可变增益混频器设计，包括：双平衡Gilbert混频器、级间第一耦合变压器、可变增益缓冲器、级间第二耦合变压器、I/Q正交无源混频器和TIA滤波器；双平衡Gilbert混频器、级间第一耦合变压器、可变增益缓冲器、级间第二耦合变压器、I/Q正交无源混频器和TIA滤波器依次电性相连；双平衡Gilbert混频器用于接收差分信号并与双平衡Gilbert混频器的本振信号源进行混频实现第一次下变频输出差频信号；所述可变增益缓冲器用于实现不同增益的放大处理；所述I/Q正交无源混频器用于将I路和Q路信号分别与本振信号进行混频实现第二次下变频输出差频信号；TIA滤波器用于对输入的差频信号进行滤波处理后输出中频信号。该混频器可以实现增益可调，并且线性度和噪声性能都较好。
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公开(公告)号：CN116070683A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211722776.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路，包括，移位模块，所述移位模块包括四个D触发器组成的4bit移位寄存器；与门模块，所述与门模块包括四个忆阻器逻辑与门；或门模块，所述或门模块包括四个忆阻器逻辑或门；所述移位模块的输出和铃声信号连接所述与门模块的输入；所述与门模块的输出和食物信号连接所述或门模块的输入；基于忆阻器设计的数字型神经形态电路可以很好的将忆阻器与MOS管体系的芯片NPU集成起来，并且因忆阻器极低的电压和功耗，在进行多次学习过程中，并不会产生什么热量。
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公开(公告)号：CN119010892A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411073495.0
申请日：2024-08-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请涉及一种集成TDC的双精度相位调节亚采样锁相环，所述锁相环包括辅助频率锁定环路、亚采样锁相环路及TDC相位处理模块，其中，亚采样锁相环路包括依次相连的亚采样鉴相器、亚采样电荷泵、环路滤波器以及压控振荡器；辅助频率锁定环路包括带死区鉴相器和电荷泵，TDC相位处理模块包括两个m_bit串行寄存器、低精度延时链和高精度延时链模块，减小环路相位对齐所需的时间；本发明利用TDC测量反馈时钟和参考时钟之间的相位差，并根据这些测量结果通过低精度和高精度双路延时链减小相差，实现快速而精确的锁定。
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公开(公告)号：CN118939056A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410988885.4
申请日：2024-07-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种COT架构高精度输出误差校正电路，涉及集成电路技术领域，通过合适的纹波补偿网络增强反馈电压的纹波，当负载变化导致输出电压波动时，工作于不同占空比下的补偿纹波峰峰值不同，采用亚阈值设计的误差校正电路可以实时检测输出电压，快速响应生成自适应调节的误差电压，在求和比较器中误差电压通过动态校正基准电压，消除纹波补偿引起的反馈电压与参考电压之间的误差，从而在宽输入宽负载条件下提高系统工作稳定性，实现高精度输出电压和快速瞬态响应。
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公开(公告)号：CN116887666A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310785834.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用，所述莫特忆阻器由下至上分为底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为氧化铌，所述莫特忆阻器的顶电极层的电极和底电极的电极由多个相互平行且设有间隙的电极组成，所述顶电极层与底电极层呈交叉状布设，以提高莫特忆阻器的集成度。本发明通过将氧化铌作为阻变层材料，使莫特忆阻器阵列、莫特忆阻器表现出良好的阈值切换特性以及良好的器件稳定性和循环稳定性，能够更好地应用于神经元电路的搭建，且制备莫特忆阻器阵列的方法较为简单、高效，适合在产业上推广使用。
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