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发明公开
一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法无效

公开(公告)号：CN111129299A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010019961.2

申请日：2020-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 秦琦 , 姚苏昊 , 张缪城 , 罗健成 , 施明旻 , 童祎 , 连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明揭示了一种基于二维材料的铁电忆阻器件及其制备方法，该铁电忆阻器件设置在衬底上，该铁电忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，所述阻变层包括介质层和敷设在该铁电材料介质层上方的MXene材料膜，所述顶电极通过掩膜板的开孔溅射在所述MXene材料膜的顶部，所述底电极包括顶部和底部，顶电极的顶部与所述介质层相触接，顶电极的底部与所述衬底相触接。该铁电忆阻器件的导电性和稳定性佳，阻态更稳定，可用于多值存储，具有广阔的应用前景；此外，本发明的制备方法简便、高效，成本低，适合在产业上推广使用。

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