公开(公告)号：CN112436088A

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN202110107576.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 姚苏昊 ,  张缪城 ,  秦琦 ,  韩翱泽 ,  童祎 ,  孟宇泰 ,  连晓娟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于忆阻器的微型可持续芯片散热结构及制备方法，所述散热结构包括从上至下依次贴合设置的底电极、翻转基板、势垒层和衬底层，所述衬底层设有导线散热通道，还包括与导线散热通道垂直设置的冷却液管道；本发明还提供了相应的散热结构制备方法；本发明提供的散热结构的导热性和稳定性较好，附着于其上的忆阻器阻态更稳定，可用于忆阻器网络的散热，具有广阔的应用前景；此外，本发明的提供的忆阻器件的制备方法简便、高效，成本低，可广泛用于工业生产。

公开(公告)号：CN112018236A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010742267.3

申请日：2020-07-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张缪城 ,  秦琦 ,  童祎 ,  孟宇泰 ,  王伊婕

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于PZT的忆阻器件，设置在衬底上，忆阻器件包括从上至下依次排列的顶电极、阻变层和底电极，且阻变层、底电极与衬底的形状、尺寸一一匹配；阻变层为铁电材料PZT层，顶电极为活性金属层，底电极为惰性金属层；顶电极通过掩膜板的开孔溅射在阻变层的顶部，底电极的顶部、底部分别与介质层、衬底相触接，本发明导电性和稳定性佳，阻态更稳定，具有明显的人脑突触特性，可用于多值存储、类脑系统构建，具有广阔的应用前景。