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公开(公告)号：CN119133164A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411232797.8
申请日：2024-09-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L25/16 , H02M1/00 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本公开提供了一种供配电模组及封装供配电模组的方法，供配电模组包括：变压器；两个封装模块，每个封装模块包括：封装基板，封装基板的底面设置有导电层，两个导电层分别与变压器的顶部和底部电连接，以形成垂直堆叠；以及多个电功能器件，封装在封装基板的内部；以及两个侧面电极组，两个侧面电极组分别沿竖直方向电连接在两个封装模块的两侧，以实现供配电模块与外部电路之间的电气连接和信号传输。
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公开(公告)号：CN118555764A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410602147.1
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种载板集成对位方法及载板结构，在待增层载板表面的贴装区域贴装嵌入结构，待增层载板具有第一对位标识，嵌入结构具有第二对位标识，设置覆盖待增层载板和嵌入结构的第一增层介质层，对第一增层介质层进行开窗处理得到第一开窗和第二开窗，第一开窗暴露第一对位标识，第二开窗暴露第二对位标识，基于第一对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之外设置第一互连结构，基于第二对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之内设置第二互连结构，这样可以通过两个对位标识分别在贴装区域内外设置互连结构，解决了嵌入结构的贴装导致的贴装区域内对位偏差问题，使嵌入结构能够准确连接，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118380410A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465887.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种硅桥嵌入的基板结构及其制造方法，涉及半导体封装技术领域，以解决制造时硅桥发生翘曲的问题。基板结构包括：基板具有填埋树脂面和底面，填埋树脂面开设凹槽，两面均有多个第一凸点；硅桥下表面与凹槽连接，其上表面有地电极和多个第二凸点，多个第二凸点间隔分布于上表面，地电极两侧均设有第二凸点，第二凸点和地电极相对上表面凸起高度相同；第一压合层覆盖于硅桥上，且其覆盖厚度小于第二凸点相对上表面凸起高度，用于将硅桥埋入基板内，地电极和第二凸点外露于第一压合层；第二压合层覆盖于基板底面，位于底面的第一凸点外露于第二压合层。在硅桥上布置地电极，使各层结构间的CTE保持基本匹配，减少制造时硅桥处的翘曲。
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公开(公告)号：CN117995747A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410185822.5
申请日：2024-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种多芯片键合夹具及键合方法，包括：设置有凹槽的夹具底座；凹槽用于放置多个待键合芯片；位于夹具底座上的压力产生装置；压力产生装置包括多个弹簧推杆以及与多个弹簧推杆分别连接的多个弹簧；与多个弹簧分别连接的多个压头；多个弹簧推杆用于分别推动多个弹簧，以分别控制多个压头对多个待键合芯片的分别键合。本申请采用多压头，结合多个弹簧的设计，可以实现对非同一高度下各芯片键合压力的独立调节，使各个芯片之间独立完成键合，互不影响，提高了芯片键合效率，增强了用户的使用体验。
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公开(公告)号：CN117913048A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410087541.6
申请日：2024-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/427
Abstract: 本申请实施例提供了一种疏水透气结构及其制造方法，包括：结合多孔氧化铝和半导体基体，多孔氧化铝包括多个第一透气孔，半导体基体包括至少一个第二透气孔，第二透气孔的孔径大于第一透气孔的孔径。在多孔氧化铝远离半导体基体的一侧表面形成疏水膜层，刻蚀疏水膜层形成疏水纳米针状结构，这样利用疏水纳米针状结构实现疏水透气结构具有高疏水性。由此可见，本申请实施例提供的疏水透气结构的制造方法，能够制造得到具有高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性的疏水透气结构，能够极大的提高气液分离效率，并且可以应用于半导体芯片封装散热领域，满足半导体芯片的散热需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116943449A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311000994.2
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
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公开(公告)号：CN116544204A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310009602.2
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/473 , G02B6/42 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开一种液冷散热结构，本发明涉及光电合封技术领域，用于解决现有技术中针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统散热效果差、均温性差的问题。包括：分液结构、第一微流道结构、接触冷板以及第二微流道结构；接触冷板覆盖在第二微流道结构上方，第一微流道结构覆盖在接触冷板上方；第一微流道结构上方设置有分液结构；分液结构为螺旋桨式；第一微流道结构为针对光芯片设置的结构；第二微流道结构为针对交换芯片设置的结构。螺旋桨式均匀分液结构，能够实现光芯片的均温性、低温性，同时保证光芯片与大功耗交换芯片不会造成彼此的热串扰，提升针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统的散热效果。
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公开(公告)号：CN116504647A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210059782.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种多层芯片至晶圆的混合键合方法及三维堆叠器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的方法实现多层芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆涂覆保护胶层；在涂胶晶圆的反面分别贴承载膜和支撑环；对贴膜晶圆进行一次划片；去除划片芯片的正面的保护胶层；对目标晶圆的正面和其中一个待激活芯片的正面进行等离子激活；对激活芯片的背面和承载膜进行解键合；将其中一个去膜芯片的正面与激活目标晶圆的正面进行倒装预键合；重复进行多层芯片的堆叠；待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的多层芯片至晶圆的混合键合方法可实现多层芯片至晶圆直接混合键合。
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公开(公告)号：CN116156752A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211240175.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN115841954A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111107807.1
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该工艺为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆进行一次划片；对划片晶圆反面进行减薄，在减薄后的划片晶圆反面贴承载膜，清洗去除保护胶层；对待激活芯片以及目标晶圆进行等离子激活；对激活芯片和承载膜进行减键合，将激活芯片正面与激活目标晶圆正面进行倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片，得到三维堆叠集成器件。本发明的三维堆叠集成器件及其直接混合键合工艺可实现芯片至晶圆直接混合键合。
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