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公开(公告)号：CN116970134A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311001011.7
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: C08F292/00 , C08F220/06 , C08F220/04
Abstract: 本申请提供了一种碳纳米管纳米流体工质的制备方法，该方法包括：提供碳纳米管悬浮液；在碳纳米管悬浮液中的碳纳米管表面原位生长高分子羧酸，得到稳定碳纳米管流体工质；根据预设需求粘度改变稳定碳纳米管流体工质的酸碱值，以得到最终碳纳米管流体工质。本申请通过在碳纳米管表面原位生长高分子羧酸，依靠表面高分子的空间位阻效应保障碳纳米管流体工质的胶体稳定性，同时通过改变酸碱值调节高分子羧酸水解程度，从而改变粒子表面电位，实现粒子团聚的可控，达到调控纳米流体剪切变薄性质。
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公开(公告)号：CN115527966A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211228121.2
申请日：2022-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的超亲纳米结构层、气液分离膜层和流道结构层，当半导体芯片的热量传输到超亲纳米结构层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构层有效限制气泡和超亲微纳米结构层的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用气液分离膜层的超疏水部分实现将气泡中的气体快速排出，防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化，利用气液分离膜层的超亲水部分限制气泡在气液分离膜层的吸附扩张，降低液膜补液阻力，进而避免液膜干涸断裂，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
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公开(公告)号：CN119340295A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411520757.3
申请日：2024-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种流道结构、冷却装置及电子设备，流道结构包括流道本体，所述流道本体具有相背的第一面及第二面，所述流道本体具有流道槽，所述流道槽的开口位于所述第一面，所述流道槽具有依次连接的第一流段、第二流段及第三流段；所述第一流段远离所述第三流段的一端为进口端，所述第三流段远离所述第一流段的一端为出口端；其中，所述第二流段包括能够引导所述流体旋转的引导结构，由所述第一流段流向所述第二流段的流体流经所述第二流段时发生旋转后流入所述第三流段。本发明提供的流道结构，由于流体能够在引导结构的引导下旋转，使得位于第二流段内不同位置的流体混合，进而使得流体的温度更均匀，进而提高冷却能力。
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公开(公告)号：CN117637643A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210982230.7
申请日：2022-08-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种界面结构及包含该界面结构的散热组件，该界面结构包括第一导热层、第二导热层和设置于所述第一导热层与所述第二导热层之间的热界面材料层；其中，所述热界面材料层的材质包括导热硅脂和/或导热胶；所述热界面材料层的竖截面包括一个或多个U形结构和/或V形结构，所述竖截面是指平行于所述热界面材料层高度方向的截面。本发明一实施方式的界面结构，具有较低的传导热阻。
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公开(公告)号：CN116864400A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311001464.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/427 , B81C1/00 , B81C3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括：在第一衬底上形成沸腾腔结构。从第二衬底的第一表面刻蚀第二衬底，形成多个凹槽。从第二衬底的第二表面刻蚀第二衬底至凹槽，形成多个孔道。在第一表面形成纳米针状结构，利用表面疏水硅烷偶联剂修饰纳米针状结构，形成超疏纳米针状表面结构。超疏纳米针状表面结构和孔道构成超疏多孔硅膜结构，结合沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构，这样液体就可以在沸腾腔结构和超疏多孔硅膜结构之间形成液膜，并且利用超疏多孔硅膜结构实现气泡脱离液膜并且排出。通过制造超疏多孔硅膜结构包括的孔道以及超疏纳米针状表面结构，能够极大的提高气液分离效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117627890A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311540371.4
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: F04B19/00
Abstract: 本申请提供一种基于液态金属的微泵结构及其制造方法、控制方法，该结构包括：基底；位于基底中的腔体结构；腔体结构包括相对设置的进液口和出液口；腔体结构通过盖板密封；位于腔体结构中的单向流结构；单向流结构与第一方向的夹角为锐角；第一方向为从进液口到出液口的方向；位于腔体结构中的液态金属；液态金属的两侧设置有绕组；绕组用于通入电流。液态金属有较大的表面张力与黏度，在腔体中可产生大距离的行程，可解决基于压电膜等方式效率低的问题。液态金属与固体腔体之间的相对运动不会破坏腔体，且液态金属驱动构件在工作中不易破损，可解决长期可靠性差的问题。半导体加工技术加工小型腔体，微泵体积进一步减小，可与半导体材料集成。
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公开(公告)号：CN117995747A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410185822.5
申请日：2024-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种多芯片键合夹具及键合方法，包括：设置有凹槽的夹具底座；凹槽用于放置多个待键合芯片；位于夹具底座上的压力产生装置；压力产生装置包括多个弹簧推杆以及与多个弹簧推杆分别连接的多个弹簧；与多个弹簧分别连接的多个压头；多个弹簧推杆用于分别推动多个弹簧，以分别控制多个压头对多个待键合芯片的分别键合。本申请采用多压头，结合多个弹簧的设计，可以实现对非同一高度下各芯片键合压力的独立调节，使各个芯片之间独立完成键合，互不影响，提高了芯片键合效率，增强了用户的使用体验。
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公开(公告)号：CN117913048A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410087541.6
申请日：2024-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/427
Abstract: 本申请实施例提供了一种疏水透气结构及其制造方法，包括：结合多孔氧化铝和半导体基体，多孔氧化铝包括多个第一透气孔，半导体基体包括至少一个第二透气孔，第二透气孔的孔径大于第一透气孔的孔径。在多孔氧化铝远离半导体基体的一侧表面形成疏水膜层，刻蚀疏水膜层形成疏水纳米针状结构，这样利用疏水纳米针状结构实现疏水透气结构具有高疏水性。由此可见，本申请实施例提供的疏水透气结构的制造方法，能够制造得到具有高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性的疏水透气结构，能够极大的提高气液分离效率，并且可以应用于半导体芯片封装散热领域，满足半导体芯片的散热需求。
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公开(公告)号：CN116943449A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311000994.2
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
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公开(公告)号：CN115458493A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211227301.9
申请日：2022-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的流道层、超疏滤膜层和工质进出结构层，当半导体芯片的热量传输到流道层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构实现对于沸腾气化核心的近位补液，并且有效限制气泡和超亲微纳米结构的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用超疏滤膜层实现将气泡中的气体快速排出，并且同时防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化的目的，由此可见，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
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