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公开(公告)号：CN118748179A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410835484.5
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 东南大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/40 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种三维射频微系统及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有的三维射频微系统存在的不能充分利用层间空间、散热路径长的问题。所述三维射频微系统包括多个射频功能层和层间散热微流道，所述层间散热微流道包括3D打印微流道和设置在3D打印微流道中的微热沉；所述层间散热微流道设置在相邻两个射频功能层之间，待散热的射频功能层与层间散热微流道设置有微热沉的一侧接触。本发明的三维射频微系统在相邻两个射频功能层之间设置独立的层间散热微流道，充分利用层间空间，散热路径短，散热能力较强，且微流道为3D打印制备，制备方法简单。
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公开(公告)号：CN118748176A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410835482.6
申请日：2024-06-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 东南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种用于三维集成系统的层间散热微流道及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，解决了现有的微流道存在的不能充分利用层间间隙、散热路径长的问题。所述层间散热微流道包括微流道层、盖板层和微热沉；所述微流道层和盖板层的材料均为树脂；所述微热沉设置在微流道层中，所述微流道层、微热沉与所述盖板层围成供冷却介质流动的流道。本发明的层间散热微流道为独立微流道可以灵活地布置在封装体中不同结构层的间隙中，充分利用层间间隙，且层间散热微流道尺寸小，能够与大功率芯片紧密集成，有效缩短散热路径，提高散热效果。
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公开(公告)号：CN117627890A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311540371.4
申请日：2023-11-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: F04B19/00
Abstract: 本申请提供一种基于液态金属的微泵结构及其制造方法、控制方法，该结构包括：基底；位于基底中的腔体结构；腔体结构包括相对设置的进液口和出液口；腔体结构通过盖板密封；位于腔体结构中的单向流结构；单向流结构与第一方向的夹角为锐角；第一方向为从进液口到出液口的方向；位于腔体结构中的液态金属；液态金属的两侧设置有绕组；绕组用于通入电流。液态金属有较大的表面张力与黏度，在腔体中可产生大距离的行程，可解决基于压电膜等方式效率低的问题。液态金属与固体腔体之间的相对运动不会破坏腔体，且液态金属驱动构件在工作中不易破损，可解决长期可靠性差的问题。半导体加工技术加工小型腔体，微泵体积进一步减小，可与半导体材料集成。
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公开(公告)号：CN116130433A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310009577.8
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , G02B6/42 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开一种基于光电合封系统的散热结构，本发明涉及光电合封技术领域，用于解决现有技术中光电合封系统散热效果不佳，系统工作温度无法保证芯片工作的问题。包括：交换芯片以及多个光引擎；每个光引擎中包含光芯片以及电芯片，光芯片以及电芯片均倒装在基板上，电芯片包含DSP芯片、DRV芯片和TIA芯片；DSP芯片、DRV芯片和TIA芯片之间最小间距设定为预设值；光芯片到基板边缘预留出光纤耦合的距离；交换芯片上设置有第一分液结构、第一微流道结构以及冷却模块；光引擎部分还包括异形冷板，异形冷板覆盖在电芯片上，解决光引擎内芯片封装高度不一致的问题，微流道结构辅助，实现电芯片和光芯片更低的工作温度，保证对温度敏感的光芯片的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN117995747A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410185822.5
申请日：2024-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/60
Abstract: 本申请提供了一种多芯片键合夹具及键合方法，包括：设置有凹槽的夹具底座；凹槽用于放置多个待键合芯片；位于夹具底座上的压力产生装置；压力产生装置包括多个弹簧推杆以及与多个弹簧推杆分别连接的多个弹簧；与多个弹簧分别连接的多个压头；多个弹簧推杆用于分别推动多个弹簧，以分别控制多个压头对多个待键合芯片的分别键合。本申请采用多压头，结合多个弹簧的设计，可以实现对非同一高度下各芯片键合压力的独立调节，使各个芯片之间独立完成键合，互不影响，提高了芯片键合效率，增强了用户的使用体验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117913048A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410087541.6
申请日：2024-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/427
Abstract: 本申请实施例提供了一种疏水透气结构及其制造方法，包括：结合多孔氧化铝和半导体基体，多孔氧化铝包括多个第一透气孔，半导体基体包括至少一个第二透气孔，第二透气孔的孔径大于第一透气孔的孔径。在多孔氧化铝远离半导体基体的一侧表面形成疏水膜层，刻蚀疏水膜层形成疏水纳米针状结构，这样利用疏水纳米针状结构实现疏水透气结构具有高疏水性。由此可见，本申请实施例提供的疏水透气结构的制造方法，能够制造得到具有高疏水性、高透气性、高热稳定性以及较高的机械稳定性的疏水透气结构，能够极大的提高气液分离效率，并且可以应用于半导体芯片封装散热领域，满足半导体芯片的散热需求。
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公开(公告)号：CN116943449A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311000994.2
申请日：2023-08-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
Abstract: 本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法，将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中，形成多孔碳纳米管悬浮液；使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤，得到多孔碳纳米管膜，在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜，得到第一多孔碳纳米管复合膜，对第一多孔碳纳米管复合膜进行疏水硅烷偶联剂修饰，得到第二多孔碳纳米管复合膜。由于无法直接在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，二氧化硅膜能够便于疏水硅烷偶联剂的生长，就可以在多孔碳纳米管表面生长疏水硅烷偶联剂，疏水硅烷偶联剂能够使复合膜呈现出超疏性的同时，还可以消除疏水修饰对膜的透气的影响，保证复合膜的高透气性。
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公开(公告)号：CN116544204A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310009602.2
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/473 , G02B6/42 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开一种液冷散热结构，本发明涉及光电合封技术领域，用于解决现有技术中针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统散热效果差、均温性差的问题。包括：分液结构、第一微流道结构、接触冷板以及第二微流道结构；接触冷板覆盖在第二微流道结构上方，第一微流道结构覆盖在接触冷板上方；第一微流道结构上方设置有分液结构；分液结构为螺旋桨式；第一微流道结构为针对光芯片设置的结构；第二微流道结构为针对交换芯片设置的结构。螺旋桨式均匀分液结构，能够实现光芯片的均温性、低温性，同时保证光芯片与大功耗交换芯片不会造成彼此的热串扰，提升针对大功耗交换芯片异形封装的光电合封系统的散热效果。
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公开(公告)号：CN116156752A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211240175.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。
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公开(公告)号：CN115458493A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211227301.9
申请日：2022-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的流道层、超疏滤膜层和工质进出结构层，当半导体芯片的热量传输到流道层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构实现对于沸腾气化核心的近位补液，并且有效限制气泡和超亲微纳米结构的表面的接触面积，减小气泡附着力，利用超疏滤膜层实现将气泡中的气体快速排出，并且同时防止液膜中的液体溢出，实现气液分离强化的目的，由此可见，本申请实施例提供的受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构能够满足半导体芯片的散热需求。
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