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公开(公告)号：CN119108339A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411029068.2
申请日：2024-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔转接板及其制造方法、2.5D集成模组及其制造方法，该硅通孔转接板的制造方法中载片的Si O2层与硅通孔接触，形成Cu‑SiO2混合键合界面，用来代替临时键合，降低了硅通孔转接板背面工艺的难度。所述方法包括：提供一裸晶圆；在所述裸晶圆的正面上形成深孔；形成第一绝缘层；在所述深孔中填充金属铜，形成硅通孔；提供一载片，所述载片包括SiO2层；将所述载片上的S iO2层和所述硅通孔接触，形成Cu‑Si O2混合键合界面；对所述裸晶圆的背面减薄，以使所述硅通孔底部露出裸晶圆的背面；形成第二绝缘层；形成多层金属互连单元和第一凸点单元；去除载片；形成第二凸点单元。
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公开(公告)号：CN116130433A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310009577.8
申请日：2023-01-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , G02B6/42 , H05K7/20
Abstract: 本发明公开一种基于光电合封系统的散热结构，本发明涉及光电合封技术领域，用于解决现有技术中光电合封系统散热效果不佳，系统工作温度无法保证芯片工作的问题。包括：交换芯片以及多个光引擎；每个光引擎中包含光芯片以及电芯片，光芯片以及电芯片均倒装在基板上，电芯片包含DSP芯片、DRV芯片和TIA芯片；DSP芯片、DRV芯片和TIA芯片之间最小间距设定为预设值；光芯片到基板边缘预留出光纤耦合的距离；交换芯片上设置有第一分液结构、第一微流道结构以及冷却模块；光引擎部分还包括异形冷板，异形冷板覆盖在电芯片上，解决光引擎内芯片封装高度不一致的问题，微流道结构辅助，实现电芯片和光芯片更低的工作温度，保证对温度敏感的光芯片的工作可靠性。
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公开(公告)号：CN115728883A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211434667.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请提供一种三维光电封装结构及封装方法，本申请中利用第一电极和第二电极为电光调制器提供垂直穿越电光调制器的纵向电场，即为电光调制器提供Z‑cut电极，相较于为电光调制器提供X‑cut电极和Y‑cut电极，能够大大降低对电光调制器封装的封装空间，并且基于Z‑cut电极的电光调制器在平面上是各向同性的，能够允许弯曲折叠，进一步降低三维光电封装结构占据的空间，提高集成度，第一电极和电光调制器之间距离较近，能够降低光损失，提高光电耦合，提高调制效率，并且本申请中电光调制器和电芯片利用第一电极实现电连接，电光调制器和电芯片之间互连距离较短，能够提高互连带宽。
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公开(公告)号：CN105158848A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510530375.3
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种玻璃基底的多模波导阵列耦合结构及其制作方法，所述多模波导阵列耦合结构包括：玻璃基底，制作有多模波导，所述多模波导间隔设置，所述玻璃基底的第一端面切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度的反射结构；波导盖片，盖设于所述多模波导的顶面。本申请通过将具有多模波导的玻璃基底切割有45度的倾角，使得所述多模波导的端部被处理成45度，由于玻璃基底切割以及研磨的工艺成熟，因此能够大规模生产、易于实现，解决了采用直接耦合时光纤研磨的质量和耦合效率很难控制的技术问题。
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公开(公告)号：CN102540365A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210040365.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开一种可以有效的降低制作成本，简化工艺步骤，提高良率的新的光学集成结构，包括：一激光器、一光学无源器件和一探测器，光学无源器件和激光器或者探测器连接，光无源器件和外部通过光波导连接，光无源器件的底部金属通过金属孔连接到外部，激光器或探测器的背电极和光无源器件的底部金属通过金属线连接，本发明实现一种光电集成结构，通过定位、转移、塑封等技术达到光电器件混合集成，减少所需工序以提高生产率，降低成本，生产周期和成本大幅下降，同时，用于实现该结构的方法工艺简单，成本低廉，便于操作，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120035268A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311513792.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种InP基背入射共面电极位置敏感探测器，属于光电探测器技术领域，由多个背入射PSD单元组成的阵列，其中背入射PSD上层共用一个阴极，采用一种可产生更好光电效应的创新结构，沿入射光方向依次设置了共用阴极层、用于欧姆接触的P型重掺杂层、高阻硅衬底层、二氧化InP基底层，其中，高阻硅衬底层下部由内向外依次设置光敏区、边框区、隔离区，二氧化InP基底中对照边框区4个端点的位置植入金属阳极。该结构大大减小了PSD阵列间隙，消除了采样盲区，拥有信号处理简单、探测速率更高、集成度稿、成本低、工艺简单等诸多优势，可广泛应用于波前探测和位姿探测等领域满足制作超大靶面、高速、高密度探测器等诸多需求。
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公开(公告)号：CN118231393A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211632944.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及一种3D光电集成系统及其制备方法，属于光电集成技术领域，解决了现有技术中三维光电集成系统存在光电性能不佳的问题。所述3D光电集成系统包括电芯片和光芯片；光芯片包括埋氧层、顶层硅、包层和倒锥形耦合器，包层设置在埋氧层的上表面，顶层硅设置在包层中且与埋氧层的上表面接触；光芯片还设置有自包层的上表面贯穿至埋氧层的下表面的氧化层通孔，氧化层通孔的上端和下端分别设置金属焊盘和焊球；顶层硅的上方且靠近包层的表面出设置有电极，电极通过微孔与顶层硅连接，电极的上表面设置有金属焊盘和焊球；电芯片倒装在光芯片上，电芯片通过焊球与光芯片互连。有效避免衬底硅寄生参数大和部分光泄漏到硅衬底中的问题。
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公开(公告)号：CN109786497B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910085971.3
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。
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公开(公告)号：CN106980159B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710131509.3
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种基于光电混合集成的光电模块封装结构，包括基板；键合在基板上的平面光子回路载板；连接到平面光子回路载板的光纤连接器；位于平面光子回路载板内并与基板表面平行的第一光波导；位于基板内的垂直互连结构及其焊盘；集成在基板上的透镜、光子器件和电子器件；以及位于光子器件上方的散热装置；其中光子器件与第一光波导耦合。本发明适于板载光模块以及光收发组件，能够减小互连损耗、进行高带宽光互连信号传播，并且能够实现波分复用功能，拓展光电混合集成模块的通道数以及波长。
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公开(公告)号：CN106980160A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710131860.2
申请日：2017-03-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4206 , G02B6/4296
Abstract: 本发明提供一种基于混合集成的片上光源结构，包括载板、载板互连线、激光器、准直透镜、光隔离器和密闭盖板，其中，激光器通过所述载板互连线获得供电并连接到载板；激光器发射的光依次通过准直透镜、光隔离器、密闭盖板下部，以最佳入射角入射位于光子芯片表面下方的光栅；光隔离器出射的光线与光子芯片表面垂直，且所述光栅所在位置的截面与光子芯片表面垂直。本发明还提供一种制备基于混合集成的片上光源结构的制备方法。本发明能够实现片上光源集成，集成度高、损耗小、安装简单便捷，还可以通过光学密闭盖板灵活调整光路。
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