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发明公开
一种3D光电集成系统及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118231393A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202211632944.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张功 , 何慧敏 , 刘丰满 , 薛海韵

IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/498

Abstract: 本发明涉及一种3D光电集成系统及其制备方法，属于光电集成技术领域，解决了现有技术中三维光电集成系统存在光电性能不佳的问题。所述3D光电集成系统包括电芯片和光芯片；光芯片包括埋氧层、顶层硅、包层和倒锥形耦合器，包层设置在埋氧层的上表面，顶层硅设置在包层中且与埋氧层的上表面接触；光芯片还设置有自包层的上表面贯穿至埋氧层的下表面的氧化层通孔，氧化层通孔的上端和下端分别设置金属焊盘和焊球；顶层硅的上方且靠近包层的表面出设置有电极，电极通过微孔与顶层硅连接，电极的上表面设置有金属焊盘和焊球；电芯片倒装在光芯片上，电芯片通过焊球与光芯片互连。有效避免衬底硅寄生参数大和部分光泄漏到硅衬底中的问题。

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