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公开(公告)号：CN120035268A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311513792.8
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种InP基背入射共面电极位置敏感探测器，属于光电探测器技术领域，由多个背入射PSD单元组成的阵列，其中背入射PSD上层共用一个阴极，采用一种可产生更好光电效应的创新结构，沿入射光方向依次设置了共用阴极层、用于欧姆接触的P型重掺杂层、高阻硅衬底层、二氧化InP基底层，其中，高阻硅衬底层下部由内向外依次设置光敏区、边框区、隔离区，二氧化InP基底中对照边框区4个端点的位置植入金属阳极。该结构大大减小了PSD阵列间隙，消除了采样盲区，拥有信号处理简单、探测速率更高、集成度稿、成本低、工艺简单等诸多优势，可广泛应用于波前探测和位姿探测等领域满足制作超大靶面、高速、高密度探测器等诸多需求。
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公开(公告)号：CN109786497B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910085971.3
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。
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公开(公告)号：CN120008750A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202311513791.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种采用背照式PSD阵列的超大靶面夏克‑哈特曼波前探测器，属于光电探测器技术领域，通过采用背照式PSD阵列制成超大靶面显著提高占空比，极大提升波前探测速率，并基于分时选通算法接收所有PSD电流信号经过信号处理得到光斑偏移，进一步提高波前探测精度和运算速度，解决了现有技术中CCD、正射式PSD速度慢、靶面小、波前探测精度低的问题。
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公开(公告)号：CN116047657B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310059132.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种能兼容SMF28光纤的LNOI边缘耦合器及制备方法和应用，属于硅光子集成电路技术领域，解决了现有技术中LNOI边缘耦合器无法与SMF28单模光纤直接耦合的问题。所述LNOI边缘耦合器包括由下至上依次设置的硅衬底、埋氧层、LNOI层和SiO2包层，所述硅衬底的内部设置有与外界空气连通的空腔，所述空腔由所述硅衬底的上表面向下延伸。该LNOI边缘耦合器能够匹配SMF28中的模场直径，可以实现与SMF‑28单模光纤的高效耦合，极大地增加了耦合容差。
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公开(公告)号：CN117950213A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202211351905.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器及其制备方法，属于光电调制技术领域。电光调制器包括从上至下依次设置的衬底、底部电极、埋氧层、铌酸锂波导层、图案化硅波导层、保护层和顶部电极；图案化硅波导层异质集成在铌酸锂波导层上，铌酸锂波导层的晶向为Z切Y传，电光调制器上还开设有通孔，所述通孔从保护层开始贯穿至埋氧层，顶部电极包括第一顶部电极和第二顶部电极，第一顶部电极通过通孔与底部电极电性连接。该电光调制器可以不用在铌酸锂波导层上形成脊型结构，避免了对铌酸锂波导进行刻蚀，从而可以减小铌酸锂波导的传输损耗。且该铌酸锂波导层晶向为Z切Y传，可以在不增加器件尺寸的情况下，增加调制区域长度，从而提高调制效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119200262A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202310757839.9
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法；利用Z‑cut薄膜铌酸锂芯片平面各向同性和竖直方向调制电场，克服了现有技术波导弯曲前后晶轴反转的缺陷，实现了灵活紧凑的布局，同时利用垂直电极结构在波导弯曲与结构改变时也能调制的特点，可以在不增加器件尺寸的情况下，增加调制区域长度，提高调制效率，改善了现有调制器中相位失真、振幅衰减等缺陷，具有更高速率和更宽带宽。
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公开(公告)号：CN120035269A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202311517226.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基背入射位置敏感探测器，属于光电探测器技术领域，由多个背入射PSD单元组成的阵列，其中背入射PSD上层共用一个阴极，采用一种可产生更好光电效应的创新结构，沿入射光方向依次设置了共用阴极层、用于欧姆接触的P型重掺杂层、高阻硅衬底层、二氧化硅基底层，其中，高阻硅衬底层下部由内向外依次设置光敏区、边框区、隔离区，二氧化硅基底中对照边框区4个端点的位置植入金属阳极。该结构大大减小了PSD阵列间隙，消除了采样盲区，拥有信号处理简单、探测速率更高、集成度稿、成本低、工艺简单等诸多优势，可广泛应用于波前探测和位姿探测等领域满足制作超大靶面、高速、高密度探测器等诸多需求。
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公开(公告)号：CN119363057A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411164019.X
申请日：2024-08-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种可变增益的光电探测器信号处理系统，其中系统包括电流电压转换电路、信号增益电路和电压识别电路；电流电压转换电路将光电探测器输出的电流信号转换为电压信号；电压识别电路接收电压信号并将电压信号输入到电压识别电路中的至少一个电压比较器，得到全部电压比较器的输出信号，并将其组合为电压区间指示信号；信号增益电路用于接收电压信号以及电压区间指示信号并基于与电压区间指示信号对应的预设增益值对电压信号进行信号增益处理得到信号增益电路输出信号，并将信号增益电路输出信号发往现场可编程逻辑门阵列设备。上述系统能增强对光电探测器的输出信号进行的增益速度，提升系统对输入电流的接受范围，提高系统的处理能力。
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公开(公告)号：CN116047657A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310059132.0
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种能兼容SMF28光纤的LNOI边缘耦合器及制备方法和应用，属于硅光子集成电路技术领域，解决了现有技术中LNOI边缘耦合器无法与SMF28单模光纤直接耦合的问题。所述LNOI边缘耦合器包括由下至上依次设置的硅衬底、埋氧层、LNOI层和SiO2包层，所述硅衬底的内部设置有与外界空气连通的空腔，所述空腔由所述硅衬底的上表面向下延伸。该LNOI边缘耦合器能够匹配SMF28中的模场直径，可以实现与SMF‑28单模光纤的高效耦合，极大地增加了耦合容差。
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公开(公告)号：CN109786497A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910085971.3
申请日：2019-01-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。
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