公开(公告)号：CN109786497B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201910085971.3

申请日：2019-01-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 马鹏程 ,  刘丰满 ,  孙思维 ,  曹立强

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。

公开(公告)号：CN109786497A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201910085971.3

申请日：2019-01-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 马鹏程 ,  刘丰满 ,  孙思维 ,  曹立强

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种单行载流子光电探测器，包括SOI衬底、光波导区、有源区、N电极和P电极；SOI衬底自下而上包括底层硅层、掩埋二氧化硅层和顶层硅层，掩埋二氧化硅层的一部分被顶层硅层覆盖；光波导区包括二氧化硅层和形成于二氧化硅层中的氮化硅层，二氧化硅层位于顶层硅层和暴露部分的掩埋二氧化硅层之上，氮化硅层包括用作直波导的宽度固定的氮化硅层和用作模式转换耦合器的宽度由宽变窄的氮化硅层；有源区自下而上包括位于顶层硅层之上的硅本征层和锗吸收层，有源区位于模式转换耦合器左侧且与模式耦合器之间具有预设间距；N电极位于顶层硅层上的N接触层处，P电极位于锗吸收层上的P接触层处。本发明的探测器具有高响应速度和高饱和输出功率。