-
公开(公告)号：CN118555764A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410602147.1
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种载板集成对位方法及载板结构，在待增层载板表面的贴装区域贴装嵌入结构，待增层载板具有第一对位标识，嵌入结构具有第二对位标识，设置覆盖待增层载板和嵌入结构的第一增层介质层，对第一增层介质层进行开窗处理得到第一开窗和第二开窗，第一开窗暴露第一对位标识，第二开窗暴露第二对位标识，基于第一对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之外设置第一互连结构，基于第二对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之内设置第二互连结构，这样可以通过两个对位标识分别在贴装区域内外设置互连结构，解决了嵌入结构的贴装导致的贴装区域内对位偏差问题，使嵌入结构能够准确连接，提高器件可靠性。
-
公开(公告)号：CN118380410A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465887.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种硅桥嵌入的基板结构及其制造方法，涉及半导体封装技术领域，以解决制造时硅桥发生翘曲的问题。基板结构包括：基板具有填埋树脂面和底面，填埋树脂面开设凹槽，两面均有多个第一凸点；硅桥下表面与凹槽连接，其上表面有地电极和多个第二凸点，多个第二凸点间隔分布于上表面，地电极两侧均设有第二凸点，第二凸点和地电极相对上表面凸起高度相同；第一压合层覆盖于硅桥上，且其覆盖厚度小于第二凸点相对上表面凸起高度，用于将硅桥埋入基板内，地电极和第二凸点外露于第一压合层；第二压合层覆盖于基板底面，位于底面的第一凸点外露于第二压合层。在硅桥上布置地电极，使各层结构间的CTE保持基本匹配，减少制造时硅桥处的翘曲。
-
公开(公告)号：CN116156752A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211240175.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种高电流密度垂直供配电模组及其封装工艺，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中供配电模组体积尺寸大、电流密度低、埋入式芯片封装热阻高、散热困难、结温过高的问题。该模组中，底部电极、封装基板、功率器件和顶部电极层叠；集成电路芯片和无源器件埋置于封装基板内部且在垂直方向上叠层。该封装工艺包括将集成电路芯片埋置于第一芯板中，将无源器件埋置于第二芯板中，压合构成封装基板；对封装基板进行钻孔、孔壁金属化和塞孔得到待封装整体；对待封装整体进行灌封、研磨和表面金属化。该模组和封装工艺能够有效提高电流密度。
-
公开(公告)号：CN114628354A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210173511.8
申请日：2022-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种金属绝缘基板铜线结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于提供一种具有具有圆弧边缘和圆弧角的铜线层的金属绝缘基板铜线结构的技术方案。金属绝缘基板厚铜线路结构包括：金属板层、形成在金属板层上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的铜线层；其中，铜线层由电火花工艺对铜板层进行处理形成，铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。金属绝缘基板铜线结构的制备方法包括以下步骤：提供金属板层，绝缘层以及铜板层层叠形成的第一叠层结构；利用电火花工艺对铜板层的非图形区域进行减薄处理，以将非图像区域的铜板层减薄至第二预设厚度；去除铜板层的非图形区域在电火花工艺中形成的硬化层，得到铜线层；其中，铜线层具有圆弧边缘和圆弧角。
-
公开(公告)号：CN113382545A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110588138.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明提供将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法，包括第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；铜箔和第一增层线路板第二真空压合处理得到第二增层线路板；第二增层线路板第一整平处理得到第三增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；第二ABF增层膜片与铜箔第一真空压合处理得到第一铜箔增层板；第一增层线路板第二整平处理得到第四增层线路板；第四增层线路板与第一铜箔增层板第一真空压合处理得到第五增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；第一增层线路板、半固化片、铜箔依次叠装进行第二真空压合处理得到第六增层线路板。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091794A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410337188.9
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，公开了一种封装基板的凸点制造方法；包括：在封装基板上制作内层线路；在封装基板表面进行化学镀铜；在内层线路正上方的化学镀铜层上电镀形成筒状凸点；蚀刻凸点范围外以及凸点内腔底部的化学镀铜层；在凸点内墙内填充低熔点焊料。本发明通过直接在内层铜线路上制作凸点，降低操作复杂性，简化工艺流程；同时筒状凸点高度易于控制，一致性好；焊料容量大，具备较好的焊接性能。
-
公开(公告)号：CN103929890A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310753292.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板内层电路的制造方法，包括如下步骤：在基板上进行机械钻孔，形成双面互连用的通孔；对机械钻孔后的基板进行除胶渣处理；将基板双面的铜箔去掉；在树脂芯板的表面进行化学镀铜，使树脂芯板表面形成化学镀铜层；在树脂芯板表面通过光刻制作电镀掩膜，使被光刻胶掩蔽住的区域不电镀；在没有被光刻胶掩蔽的区域电镀铜；将用于电镀掩膜的光刻胶去除，使整个电镀的基板表面暴露出来；将被光刻胶掩蔽的化学镀铜层腐蚀掉，形成内层线路板。本发明在化学镀铜的工艺中，对树脂芯板表面只进行蓬松处理，不经过除胶渣处理，蓬松后的树脂表面有更大的比表面积，可以结合更多的钯金属，从而提高了化学镀铜层的结合力。
-
公开(公告)号：CN115912309A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310034058.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种集群式芯片系统的垂直供配电架构，属于微电子封装技术领域，解决了现有技术中集群式芯片系统的供配电模组难以近距离摆放的布局问题或者集群式芯片系统无法实现短距离供配电的问题。该架构中，负载芯片与供配电模组在垂直于线路板的方向上堆叠；供配电模组包括从下至上依次垂直堆叠且连接的外部输入层、变换层和垂直接口层；供配电模组和负载芯片的数量均为多个，线路板的数量为1个，线路板作为多个负载芯片的承载和互连基板，线路板的内部金属层用于实现多个负载芯片之间的信号互连；负载芯片的电源端口通过线路板内的垂直配电孔与供配电模组的垂直接口层互连。本发明可用于集群式芯片系统的垂直供配电。
-
公开(公告)号：CN115275929A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210768356.4
申请日：2022-07-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02H3/08 , H02H3/05 , H02H1/00 , G01R19/165
Abstract: 本申请提出一种功率芯片的过流保护电路及芯片，该过流保护电路包括：接口模块，用于分别连接功率芯片和功率芯片连接的印刷电路板；过流检测模块，用于检测功率芯片的工作电流，并在工作电流大于或等于预设阈值时输出第一控制信号；断路保持模块，与过流检测模块连接，接收到第一控制信号后导通，且在接口模块上电的情况下持续导通，并输出驱动电流；驱动电路，与断路保持模块连接，且接地设置，并在驱动电流的作用下输出第二控制信号；断路开关，分别与驱动电路和接口模块连接，在第二控制信号的作用下断开，以切断功率芯片的工作电路。本申请可避免埋入式功率芯片在内部控制和保护功能失效后，造成封装结构或母板高温碳化和烧毁的现象产生。
-
公开(公告)号：CN109945852B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910221504.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01C19/5769 , B81B7/00 , B81C1/00 , B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种陀螺仪的封装结构及制作方法，其中该方法包括：加工侧向异构转接板；加工正向异构转接板；将所述侧向转接板正交集成在所述正向异构转接板的异构槽体内。本发明以晶圆做转接板，将与现有技术有重大区别的侧向异构转接板正交集成与正向异构转接板的异构槽体中，其不仅实现了其封装模块的小型化，而且加工工艺技术成熟度、加工精度以及可靠性都较高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.031 seconds)
