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公开(公告)号：CN118555764A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410602147.1
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种载板集成对位方法及载板结构，在待增层载板表面的贴装区域贴装嵌入结构，待增层载板具有第一对位标识，嵌入结构具有第二对位标识，设置覆盖待增层载板和嵌入结构的第一增层介质层，对第一增层介质层进行开窗处理得到第一开窗和第二开窗，第一开窗暴露第一对位标识，第二开窗暴露第二对位标识，基于第一对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之外设置第一互连结构，基于第二对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之内设置第二互连结构，这样可以通过两个对位标识分别在贴装区域内外设置互连结构，解决了嵌入结构的贴装导致的贴装区域内对位偏差问题，使嵌入结构能够准确连接，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118380410A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465887.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种硅桥嵌入的基板结构及其制造方法，涉及半导体封装技术领域，以解决制造时硅桥发生翘曲的问题。基板结构包括：基板具有填埋树脂面和底面，填埋树脂面开设凹槽，两面均有多个第一凸点；硅桥下表面与凹槽连接，其上表面有地电极和多个第二凸点，多个第二凸点间隔分布于上表面，地电极两侧均设有第二凸点，第二凸点和地电极相对上表面凸起高度相同；第一压合层覆盖于硅桥上，且其覆盖厚度小于第二凸点相对上表面凸起高度，用于将硅桥埋入基板内，地电极和第二凸点外露于第一压合层；第二压合层覆盖于基板底面，位于底面的第一凸点外露于第二压合层。在硅桥上布置地电极，使各层结构间的CTE保持基本匹配，减少制造时硅桥处的翘曲。
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公开(公告)号：CN119254258A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411303196.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种毫米波段的玻璃基射频微系统及其制备方法，涉及射频通信系统技术领域，玻璃基射频微系统包括：射频模块，射频模块包括：第一玻璃基板，具有相对第一表面和第二表面；毫米波通信芯片，固定在第一玻璃基板内；毫米波通信芯片与第一玻璃基板表面上的互连电路电连接；天线模块，天线模块包括：第二玻璃基板，具有相对的第三表面和第四表面，第三表面与第二表面相对固定；辐射单元，辐射单元设置在第四表面上，且与互连电路电连接。本申请可以降低系统损耗，提高带宽。
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公开(公告)号：CN118299334A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410465894.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种基板结构和基板结构的制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中利用DAF将硅桥粘贴在基板的容纳槽中，但是上述引入的DAF是一种不确定的异物，使EMIB基板结构存在硅桥应力分布不均的问题，进而导致基板结构具有开裂的可靠性风险的问题。该基板结构包括：基板和硅桥结构。基板具有容纳槽，硅桥结构设置于容纳槽内。绝缘层覆盖于硅桥结构和基板上，部分绝缘层用于将硅桥结构埋入基板内。多个基板焊盘位于绝缘层的表面。硅桥结构包括：硅桥和粘结层。硅桥具有硅桥布线，粘结层设置于硅桥，且位于背离硅桥布线的一面。粘结层的材质和绝缘层的材质相同，硅桥通过粘结层与基板连接。
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公开(公告)号：CN110299252A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910604702.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明提供一种具有通孔的平板电容结构的制造方法，包括：在具有至少一个通孔的平板的上下两个表面上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔中；去除可溶性保护层，保留通孔中填充的可溶性材料；在平板的上下两个表面上沉积第一金属层，使平板表面和通孔孔口覆盖第一金属层；去除通孔中填充的可溶性材料。本发明由于可溶性保护层对通孔孔壁的保护作用，在沉积第一金属层时，通孔内不会被金属化，保持绝缘。由于整个流程中未使用光刻机等昂贵设备，成本低、工艺流程简单，易于控制。
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公开(公告)号：CN118299364A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410465400.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/13
Abstract: 本发明公开一种低翘曲硅桥的基板结构，涉及半导体封装领域，以解决基板内嵌硅桥钻孔加工难度大的问题。基板结构包括：第一布线层和第二布线层均与芯板连接，且相对芯板对称分布；第一ABF布线层的第一面设有第一凸点，且开设底部裸露第一布线层表面铜箔的凹槽，第一ABF布线层与第一布线层连接；第二ABF布线层与第二布线层远离芯板一面连接；硅桥位于凹槽内，其下表面与凹槽底部的铜箔键合。将第一ABF布线层开设的凹槽内贴入硅桥，使得硅桥与凹槽底部裸露的铜箔键合，在硅桥表面无布线层结构覆盖，无需钻孔，方便对基板结构的加工。
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公开(公告)号：CN110349761A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910606403.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN109945852A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910221504.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01C19/5769 , B81B7/00 , B81C1/00 , B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种陀螺仪的封装结构及制作方法，其中该方法包括：加工侧向异构转接板；加工正向异构转接板；将所述侧向转接板正交集成在所述正向异构转接板的异构槽体内。本发明以晶圆做转接板，将与现有技术有重大区别的侧向异构转接板正交集成与正向异构转接板的异构槽体中，其不仅实现了其封装模块的小型化，而且加工工艺技术成熟度、加工精度以及可靠性都较高。
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公开(公告)号：CN118630460A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310223030.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种可调谐振频率的封装天线及其制备方法，属于封装天线技术领域，解决了现有的改变天线谐振频率的方法适用范围局限性大的问题。所述封装天线包括从下至上依次设置的重构晶圆和基板，所述基板与所述重构晶圆之间设置地板金属层，所述基板上表面设置贴片天线，所述基板内设置有流道，所述流道中设置有不同于基板介质的流道介质。本发明通过在流道中填充不同于基体介质的流道介质来改变整体介质层的有效介电常数，从而改变天线的谐振频率，受使用环境的影响小，适用范围广，局限性小。
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公开(公告)号：CN119209010A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411442421.X
申请日：2024-10-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供了一种太赫兹喇叭天线及其制备方法，涉及移动通信系统技术领域。将天线层设置为具有喇叭天线凹槽结构的天线层，由于喇叭天线自身优势，使得太赫兹喇叭天线具有结构简单、便于控制增益、频率特性优良、损耗小等优点。并且，本申请提供的天线层和射频层通过辐射电极和金属薄膜键合实现固定，不仅实现了低反射的互连通道，还能够将THz波限制在键合区域内，避免了天线层和射频层堆叠带来的电磁泄露的问题，提高了太赫兹喇叭天线的性能。本申请提供天线层和射频层均采用玻璃基板，玻璃基板具有机械强度高、介电损耗小等优势，且玻璃基板能够承受更高的温度，从而减少了基板翘曲和变形的问题，进而能够提高太赫兹喇叭天线的制备质量。
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