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公开(公告)号：CN118398591A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410495199.3
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/56 , H05K3/46 , H05K3/30
Abstract: 本申请公开一种芯片结构及内埋基板的制造方法。其中芯片结构包括：芯片本体以及多个焊盘，焊盘的底端与芯片本体的第一面电连接；绝缘层，绝缘层覆盖于芯片的第一面，焊盘内埋于绝缘层内部；铜层，铜层覆盖在绝缘层背离芯片本体的顶面。将芯片结构的铜层去除，芯片结构的绝缘层的背离芯片本体的一侧形成凹槽，绝缘层的表面与基板的表面不再平齐，绝缘层的表面与基板表面在基板厚度方向上形成高度差，如此填充压合树脂后，可以提高树脂与芯片结构的键合强度，减小分层风险。在内埋基板的制造过程中，使芯片结构的铜层先与键合材料层的发泡膜键合。待键合材料层的发泡膜与芯片结构的铜层解键合之后，去除铜层，进而降低残留物的残留。
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公开(公告)号：CN118335640A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410494391.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本申请公开一种封装基板用绝缘材料的测试结构的制造方法，涉及半导体封装技术领域。其包括步骤第一键合、压合第一铜箔、制作测试用电路、第一压合第一绝缘层、第二压合第一绝缘层、预固化、解键合、去除第一铜箔、压合第二绝缘层、固化以及开窗。上述制造方法加工形成的测试结构中，测试用电路位于第一绝缘层内，第一绝缘层外侧还有第二绝缘层，即测试用电路嵌入内侧的第一绝缘层内，而不是嵌入外侧的第二绝缘层内，如此使测试用电路更加稳定，该测试结构的可靠性更高。上述制造方法中，采用一个临时键合结构形成一个线路嵌入结构，即ETS线路结构，这种线路结构可以实现超细线路结构，不使用半加成工艺。线路线宽线距可精确控制。
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公开(公告)号：CN118305839A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410390338.6
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜层的裁切方法，涉及薄膜裁切技术领域，以解决由于薄膜过脆，因此在对大尺寸的ABF薄膜剪切过程中，易导致大尺寸的ABF薄膜碎裂，进而导致获得的条状ABF薄膜样品碎裂，条状ABF薄膜样品质量不合格的问题。所述薄膜层的裁切方法包括：获取薄膜结构；薄膜结构包括依次层叠设置的第一材料层、薄膜层和第二材料层；第一材料层和第二材料层分别与薄膜层键合连接；利用固定装置压合固定薄膜结构，固定装置具有至少两个间隔分布的裁切缝隙；沿裁切缝隙的边缘裁切薄膜结构，以获得裁切后薄膜结构；裁切后薄膜结构完全被固定装置压合固定；处理裁切后薄膜结构，以去除第一材料层和第二材料层并获得多个薄膜。
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公开(公告)号：CN109945852B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201910221504.9
申请日：2019-03-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01C19/5769 , B81B7/00 , B81C1/00 , B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种陀螺仪的封装结构及制作方法，其中该方法包括：加工侧向异构转接板；加工正向异构转接板；将所述侧向转接板正交集成在所述正向异构转接板的异构槽体内。本发明以晶圆做转接板，将与现有技术有重大区别的侧向异构转接板正交集成与正向异构转接板的异构槽体中，其不仅实现了其封装模块的小型化，而且加工工艺技术成熟度、加工精度以及可靠性都较高。
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公开(公告)号：CN110349761B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201910606403.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920766A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910179002.4
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 一种带有散热结构的大尺寸芯片系统级封装结构及其制作方法，该结构，包括：基板芯板层，具有基板布线，其内部设有一贯穿的开窗；第一芯片，埋入至该开窗中，形成一埋入结构；基板层间绝缘层，覆盖于该埋入结构的上、下表面，该基板层间绝缘层中制作有第二金属盲孔和金属互连线路，用于该第一芯片与基板芯板层电气互连；元器件，贴装于基板层间绝缘层的表面焊盘上，与第一芯片电气互连；以及第二散热结构，与第一芯片以及元器件同时键合，实现系统封装；其中，第一芯片为N个大尺寸芯片和/或M个小尺寸芯片，M、N均为自然数。整体上具有高密度集成、良好的散热和可靠的封装、能够降低信号传输路径、以及减小传输损耗的综合性能。
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公开(公告)号：CN109887900A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910178960.X
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种带有软硬结合板的大尺寸芯片系统封装结构及其制作方法，该结构包括：软硬结合板，包含固定连接的硬基板和软板，硬基板底部由软板支撑，在硬基板中设有开窗，在软板中设有开口，形成一容置空腔；第一芯片，其正面和背面均具有散热结构，倒装于该软硬结合板的容置空腔中，与软硬结合板电气互连；元器件，固定于该软硬结合板的硬基板的表面焊盘上，与硬基板中的线路电气互连；以及第二散热结构，键合于软硬结合板的上下两侧，位于硬基板一侧的第二散热结构与第一芯片和元器件同时键合，位于软板一侧的第二散热结构与软板键合，实现系统封装。在避免虚焊的同时保证了散热和封装的可靠性，还大幅度减小封装体积、减小信号传输路径、以及减小损耗。
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公开(公告)号：CN103929890B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201310753292.1
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电路板内层电路的制造方法，包括如下步骤：在基板上进行机械钻孔，形成双面互连用的通孔；对机械钻孔后的基板进行除胶渣处理；将基板双面的铜箔去掉；在树脂芯板的表面进行化学镀铜，使树脂芯板表面形成化学镀铜层；在树脂芯板表面通过光刻制作电镀掩膜，使被光刻胶掩蔽住的区域不电镀；在没有被光刻胶掩蔽的区域电镀铜；将用于电镀掩膜的光刻胶去除，使整个电镀的基板表面暴露出来；将被光刻胶掩蔽的化学镀铜层腐蚀掉，形成内层线路板。本发明在化学镀铜的工艺中，对树脂芯板表面只进行蓬松处理，不经过除胶渣处理，蓬松后的树脂表面有更大的比表面积，可以结合更多的钯金属，从而提高了化学镀铜层的结合力。
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公开(公告)号：CN103997862B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410246593.X
申请日：2014-06-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 于中尧
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种制作低应力低翘曲度超薄奇数层无芯板的方法，包括：在半固化片双面各贴附一层铜箔，制作低温压合双面覆铜半固化片；对该双面覆铜半固化片双面进行光刻、显影和刻蚀，形成双面具有电路的半固化片；将该半固化片、第二半固化片和第二铜箔由上至下叠加进行低温真空压合，形成复合基板结构；对该复合基板结构底层的第二铜箔进行光刻、显影和刻蚀，形成具有3层电路的复合半固化片；对该复合半固化片进行高温真空压合，形成带有3层金属电路2层树脂的无芯基板结构；对该无芯基板结构进行激光钻孔形成通孔，对该通孔进行金属化处理形成导电过孔，双面制作绿油并绿油开窗，对露出的金属电路表面涂敷或喷锡，形成3层金属电路无芯板。
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公开(公告)号：CN103985647B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410218948.4
申请日：2014-05-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05556 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制备铜柱凸点的方法，采用局部金属种子层技术以及多层感光干膜技术，包括：在介质层上制备一层导电的金属种子层；在金属种子层上制备焊盘、外层线路图形和一条电镀引线；对金属种子层进行刻蚀，留下焊盘所处的凸点区域的局部金属种子层，凸点区域之外的金属种子层全部去除，得到第一基片；在第一基片上制备一层绿油层，并将凸点区域的绿油层除去，得到第二基片；在第二基片上依次制备多层干膜，然后对凸点区域的焊盘之上的多层干膜进行光刻，直至露出凸点区域的焊盘，在焊盘上形成刻蚀盲孔，得到第三基片；对第三基片进行电镀，在焊盘之上的刻蚀盲孔中镀铜，然后去除多层干膜和焊盘周边的局部金属种子层，于焊盘上形成铜柱凸点。
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