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公开(公告)号：CN118943027A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310531881.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明公开一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构，涉及半导体封装技术领域，以解决制造过程中基板过度翘曲的问题。内埋芯片基板的制造方法包括基板开窗、第一临时键合、贴芯片、第一压合填埋树脂、第二临时键合、第一解键合、第二压合填埋树脂和第二解键合、电路制作、树脂绝缘层加工、制作中间电路和固化等步骤。本方法中在形成对称结构前，结构中的树脂均为不完全固化状态，在每层树脂层加工完后进行一次预固化，并不是完全固化，所有树脂层均加工完之后再进行一次固化，如此可以保持低翘曲状态下，形成对称结构后再固化至90％以上，可以有效避免树脂开裂。临时键合结构是上述内埋芯片基板的制造方法过程中产生的一种临时结构。
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公开(公告)号：CN118555764A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410602147.1
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种载板集成对位方法及载板结构，在待增层载板表面的贴装区域贴装嵌入结构，待增层载板具有第一对位标识，嵌入结构具有第二对位标识，设置覆盖待增层载板和嵌入结构的第一增层介质层，对第一增层介质层进行开窗处理得到第一开窗和第二开窗，第一开窗暴露第一对位标识，第二开窗暴露第二对位标识，基于第一对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之外设置第一互连结构，基于第二对位标识的位置在第一增层介质层的贴装区域之内设置第二互连结构，这样可以通过两个对位标识分别在贴装区域内外设置互连结构，解决了嵌入结构的贴装导致的贴装区域内对位偏差问题，使嵌入结构能够准确连接，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN118380410A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410465887.5
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种硅桥嵌入的基板结构及其制造方法，涉及半导体封装技术领域，以解决制造时硅桥发生翘曲的问题。基板结构包括：基板具有填埋树脂面和底面，填埋树脂面开设凹槽，两面均有多个第一凸点；硅桥下表面与凹槽连接，其上表面有地电极和多个第二凸点，多个第二凸点间隔分布于上表面，地电极两侧均设有第二凸点，第二凸点和地电极相对上表面凸起高度相同；第一压合层覆盖于硅桥上，且其覆盖厚度小于第二凸点相对上表面凸起高度，用于将硅桥埋入基板内，地电极和第二凸点外露于第一压合层；第二压合层覆盖于基板底面，位于底面的第一凸点外露于第二压合层。在硅桥上布置地电极，使各层结构间的CTE保持基本匹配，减少制造时硅桥处的翘曲。
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公开(公告)号：CN113382545A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110588138.8
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明提供将ABF增层膜片和铜箔压合到内层基板的方法，包括第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；铜箔和第一增层线路板第二真空压合处理得到第二增层线路板；第二增层线路板第一整平处理得到第三增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；第二ABF增层膜片与铜箔第一真空压合处理得到第一铜箔增层板；第一增层线路板第二整平处理得到第四增层线路板；第四增层线路板与第一铜箔增层板第一真空压合处理得到第五增层线路板。或者第一ABF增层膜片与内层基板第一真空压合处理得到第一增层线路板；第一增层线路板、半固化片、铜箔依次叠装进行第二真空压合处理得到第六增层线路板。
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公开(公告)号：CN118412343A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410495220.X
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开一种封装基板用绝缘材料的测试结构及其制造方法，测试结构包括芯板、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、金属箔以及测试用电路。上述测试结构中，测试用电路位于第二绝缘层内，第二绝缘层外侧还有第三绝缘层，即测试用电路嵌入内侧的第二绝缘层内，而不是嵌入外侧的第三绝缘层内，如此使测试用电路更加稳定，该测试结构的可靠性更高。且上述测试结构中，没有绿油层。此外，测试用电路采用采用光刻的方式制作，不必采用Pd活化，没有Pd残留风险，保证了测试结果的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118299364A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410465400.3
申请日：2024-04-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/13
Abstract: 本发明公开一种低翘曲硅桥的基板结构，涉及半导体封装领域，以解决基板内嵌硅桥钻孔加工难度大的问题。基板结构包括：第一布线层和第二布线层均与芯板连接，且相对芯板对称分布；第一ABF布线层的第一面设有第一凸点，且开设底部裸露第一布线层表面铜箔的凹槽，第一ABF布线层与第一布线层连接；第二ABF布线层与第二布线层远离芯板一面连接；硅桥位于凹槽内，其下表面与凹槽底部的铜箔键合。将第一ABF布线层开设的凹槽内贴入硅桥，使得硅桥与凹槽底部裸露的铜箔键合，在硅桥表面无布线层结构覆盖，无需钻孔，方便对基板结构的加工。
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公开(公告)号：CN115361795A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211022518.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种FCBGA基板的半加成工艺方法，涉及封装基板制造技术领域。该方法包括：步骤S1，在封装基板的内层线路表面，依次压合ABF层和铜箔；步骤S2，将压合后的ABF层置于烘箱中烘烤，以完成预固化；步骤S3，对预固化的ABF层进行真空加温加压，使ABF层完全固化；步骤S4，去除铜箔，在完全固化的ABF层上制造外层线路；步骤S5，重复上述步骤S1～S4，形成多层线路封装基板。本发明可以解决大铜皮爆板的技术问题，保证基板的可靠性，减小工艺限制，提高设计自由度，降低工艺窗口，提高良率，以及降低基板翘曲。
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公开(公告)号：CN113382544B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110588137.3
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明提供一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括：对第一增层线路板进行真空烘烤得到第二增层线路板；对第二增层线路板进行第二真空压膜处理及第二整平处理。或者内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括对第一增层线路板进行第三真空压膜处理及第三整平处理，得到第三增层线路板。本发明提出的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，能够有效加速ABF膜片中的高沸点溶剂的去除，在预固化后大幅度减小孔口的凹陷。
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公开(公告)号：CN113382544A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110588137.3
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明提供一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括：对第一增层线路板进行真空烘烤得到第二增层线路板；对第二增层线路板进行第二真空压膜处理及第二整平处理。或者内层基板经过第一真空压膜处理及第一整平处理得到第一增层线路板后，包括对第一增层线路板进行第三真空压膜处理及第三整平处理，得到第三增层线路板。本发明提出的一种使用ABF增层膜片进行内层基板通孔塞孔的方法，能够有效加速ABF膜片中的高沸点溶剂的去除，在预固化后大幅度减小孔口的凹陷。
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公开(公告)号：CN110349761A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910606403.3
申请日：2019-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G13/00
Abstract: 本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。
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