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公开(公告)号：CN118703172A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410716711.2
申请日：2024-06-04
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种抛光液用氧化铈基磨料及其制备方法和应用，属于抛光液技术领域，制备方法包括：(1)制备磁性粒子悬浮液，调节pH至7.5～9，搅拌升温至40～50℃，再加入硅源，反应后得到SiO2包覆的磁性粒子，其中磁性粒子为铁钴氧体、镍铁氧体、锰铁氧体、γ‑Fe2O3或CoNi合金；(2)制备SiO2包覆的磁性粒子悬浮液，调节pH至8～9，搅拌升温至70～90℃，再加入铈源和钛源反应，反应过程中维持体系pH为8～9，反应结束后得到抛光液用氧化铈基磨料。该氧化铈基磨料包括三层结构，内层为磁性粒子，中层为二氧化硅，外层为二氧化钛掺杂氧化铈，三层结构之间协同发挥作用，抛光效率高。
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公开(公告)号：CN118973371B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411445981.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 宁波大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种非原位生长拓扑超导异质结的方法，本发明利用分子束外延室内中的氩离子对因跨设备转移而暴露过空气的单晶TiN薄膜进行氩离子刻蚀，氩离子经过阳极电场的加速，与单晶TiN薄膜表面发生碰撞，从而将单晶TiN薄膜表面的杂质原子和灰尘去除，解决了跨设备原位生长需要增加高成本和导致薄膜表面污染的问题，同时，相对于高温退火技术，本发明的刻蚀方法能够大大降低生长时间，还能避免污染超真空视窗，以及避免影响设备使用寿命，然后在接近的单晶TiN薄膜表面在超真空下，在单晶TiN薄膜上外延生长出单晶Bi2Se3薄膜，获得TiN/Bi2Se3拓扑超导异质结。
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公开(公告)号：CN119710911A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411910173.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化钛单晶薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：S1、将单晶基片进行清洗处理，送入磁控溅射设备的溅射室；S2、将溅射室抽真空，单晶基片进行加热；S3、溅射室内通入氮气和氩气，使用高纯度钛靶作为溅射靶材，打开射频电源或直流电源，进行预溅射；S4、设置电源的功率，调整氮气和氩气的流量比为0.1～0.5，在单晶基片上磁控溅射生长氮化钛薄膜；S5、关闭电源，保持原腔体内的气压不变，降温，得到氮化钛单晶薄膜。本发明采用磁控溅射技术制备氮化钛单晶薄膜，通过调节生长气氛，按照一定的比例通入氮氩混合气，可以使TiN薄膜晶格间的应力发生变化，从而提高超导转变温度。
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公开(公告)号：CN118604925A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410599144.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本公开属于双曲超材料技术领域，提供了一种单晶超晶格双曲超材料及其制备方法和应用。该材料包括周期性排列的混合晶体结构，混合晶体结构包括岩盐层和尖晶石层；岩盐层的材料为MN，尖晶石层的材料为AOxNy。制备方法：以过渡金属M、A的氧化物为靶材，经磁控溅射(溅射气体的气压为0.001～0.1Torr，溅射温度为400～1000℃)轮流交替沉积岩盐层和尖晶石层，相邻的岩盐层和尖晶石层构成混合晶体结构，若干混合晶体结构周期性排列即得上述材料。还公开了包括上述材料的光学器件。本公开的制备方法极大地拓展了单晶超晶格双曲超材料的成分选择范围，无需局限于相同晶体结构的成分的组合。
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公开(公告)号：CN116334533A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310159057.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 上海大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种单相多铁性材料、单相多铁性薄膜及其制备方法和应用，其中单相多铁性材料的化学式为Dy0.5Ba0.5TiO3。一种单相多铁性薄膜，该薄膜的组分包括Dy0.5Ba0.5TiO3，制备方法如下：利用固相反应法制备Dy0.5Ba0.5TiO3靶材；以Dy0.5Ba0.5TiO3靶材作为靶材，以氩气作为溅射气体，使用射频电源，在单晶基片上进行磁控溅射，得到单相多铁性薄膜。本发明中的单相多铁性材料Dy0.5Ba0.5TiO3，材料中铁电极化和磁性同源，均由磁性诱导产生，增强了材料中的磁电耦合效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112695380A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011297238.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77 Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3，室温电导率可达14000 S/cm。
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公开(公告)号：CN119800304A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411789552.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种钛酸镁薄膜及其制备方法和应用，涉及钛铁矿型氧化物材料技术领域。本发明提供的钛酸镁薄膜的制备方法，采用磁控溅射技术结合热处理工艺，先在氧化镁基片上沉积TiN薄膜，再通过优化热处理工艺参数使氧化镁基片中的Mg在热处理过程中扩散到TiN薄膜层并与TiN反应生成具有菱面体晶体结构的MgTiO3薄膜，所述MgTiO3薄膜具有高的可见光透过率；并且所述钛酸镁薄膜的制备方法中采用的磁控溅射技术和热处理技术的工艺条件稳定、可控，非常适合于大规模工业化生产；解决了溶胶‑凝胶法制备的钛酸镁薄膜中易存在MgTiO2等多种杂相和大规模工业化生产中质量和性能不一致的问题。
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公开(公告)号：CN117166059A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310894188.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜由Ti0.5Cr0.5N构成，具有面心立方岩盐结构，本发明还公开了自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜的制备方法，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明通过磁控溅射技术得到自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，制备工艺简单，应用范围广，将其与电子和信息存储等产业紧密结合起来，在超导量子器件、新型信息储存器、自旋电子器件等领域中有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN116641138A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310417279.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种光学各向异性纳米结构单晶薄膜，光学各向异性纳米结构单晶薄膜为MN单晶薄膜，且包括共格外延层和岛状外延层，且共格外延层的厚度≤60nm，岛状外延层的厚度为20～300nm，岛状外延层的横向长度为5‑150nm，本发明还提供了光学各向异性纳米结构单晶薄膜的制备方法及其应用，与现有技术相比，本发明制备光学各向异性纳米结构单晶薄膜的成本低，且制得的光学各向异性纳米结构单晶薄膜具有优良的化学与热稳定性和半导体兼容性。
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公开(公告)号：CN116623282A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310420997.5
申请日：2023-04-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。
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