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发明公开
一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜审中-实审

公开(公告)号：CN116623282A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310420997.5

申请日：2023-04-19

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张腾腾 , 曹彦伟 , 张广超 , 张顺达 , 张如意

IPC: C30B23/02 , C30B29/22 , C23C14/35

Abstract: 本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。

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