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公开(公告)号：CN119710911A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411910173.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种氮化钛单晶薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：S1、将单晶基片进行清洗处理，送入磁控溅射设备的溅射室；S2、将溅射室抽真空，单晶基片进行加热；S3、溅射室内通入氮气和氩气，使用高纯度钛靶作为溅射靶材，打开射频电源或直流电源，进行预溅射；S4、设置电源的功率，调整氮气和氩气的流量比为0.1～0.5，在单晶基片上磁控溅射生长氮化钛薄膜；S5、关闭电源，保持原腔体内的气压不变，降温，得到氮化钛单晶薄膜。本发明采用磁控溅射技术制备氮化钛单晶薄膜，通过调节生长气氛，按照一定的比例通入氮氩混合气，可以使TiN薄膜晶格间的应力发生变化，从而提高超导转变温度。
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公开(公告)号：CN118604925A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410599144.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本公开属于双曲超材料技术领域，提供了一种单晶超晶格双曲超材料及其制备方法和应用。该材料包括周期性排列的混合晶体结构，混合晶体结构包括岩盐层和尖晶石层；岩盐层的材料为MN，尖晶石层的材料为AOxNy。制备方法：以过渡金属M、A的氧化物为靶材，经磁控溅射(溅射气体的气压为0.001～0.1Torr，溅射温度为400～1000℃)轮流交替沉积岩盐层和尖晶石层，相邻的岩盐层和尖晶石层构成混合晶体结构，若干混合晶体结构周期性排列即得上述材料。还公开了包括上述材料的光学器件。本公开的制备方法极大地拓展了单晶超晶格双曲超材料的成分选择范围，无需局限于相同晶体结构的成分的组合。
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公开(公告)号：CN116334533A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310159057.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 上海大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种单相多铁性材料、单相多铁性薄膜及其制备方法和应用，其中单相多铁性材料的化学式为Dy0.5Ba0.5TiO3。一种单相多铁性薄膜，该薄膜的组分包括Dy0.5Ba0.5TiO3，制备方法如下：利用固相反应法制备Dy0.5Ba0.5TiO3靶材；以Dy0.5Ba0.5TiO3靶材作为靶材，以氩气作为溅射气体，使用射频电源，在单晶基片上进行磁控溅射，得到单相多铁性薄膜。本发明中的单相多铁性材料Dy0.5Ba0.5TiO3，材料中铁电极化和磁性同源，均由磁性诱导产生，增强了材料中的磁电耦合效应。
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公开(公告)号：CN112695380A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011297238.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77 Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3，室温电导率可达14000 S/cm。
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公开(公告)号：CN114525579B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202111622837.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，退火处理；利用溅射外延方法于衬底上沉积获得单晶薄膜。溅射外延方法的参数为：以纯金属靶或者单晶Al2O3作为靶材，生长温度为950～1050℃，射频功率为80～120W、气氛为纯氮气气氛、气压为0.001～0.05Torr。采用溅射外延方法沉积获得高质量的单晶薄膜，解决现有技术中超导约瑟夫森结难以获得高质量的单晶多层膜的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112479710B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011275834.5
申请日：2020-11-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及陶瓷靶材领域，特别是涉及一种镍基靶材及其制备方法和应用。通过球磨‑预烧‑二次球磨‑造粒‑制坯‑排胶‑程序式升温烧结‑程序式降温的生产工艺，制备得到了成分纯净，元素和密度分布均匀，且具有良好的机械强度、硬度和致密度的Nd1‑xAxNiO3陶瓷靶材，将其进行磁控溅射生长可得到Nd1‑xAxNiO3薄膜，该薄膜具有良好的结晶度和高质量的单晶外延性质；此外，本发明还提供了一种Nd1‑xAxNiO2薄膜，其具有优良的超导特性和电输运性质。
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公开(公告)号：CN112500155B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011236290.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开一种镧掺杂钛酸钡靶材的制备方法，包括以下步骤：1）将BaCO3和TiO2、La2O3和TiO2分别混合球磨得到两种浆料，然后将两种浆料干燥后的得到的粉料分别煅烧，制得BaTiO3、La2Ti2O7粉料；2）按一定比例将BaTiO3、La2Ti2O7粉料混合进行二次球磨后，干燥得到混合粉料；3）将干燥后的混合粉料采用聚乙烯醇溶液造粒、过筛，得到粒径均匀的粉料；4）将造粒后的粉料放入靶材模具，压制、脱模制成生坯；5）将生坯进行排胶、烧结后使用研磨抛光机将烧结成的靶材外表面抛光，清洗后干燥，得到BLTO靶材。
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公开(公告)号：CN113832539A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202010512090.8
申请日：2020-06-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及柔性单晶超导薄膜的制备方法，包括提供单晶的氟晶云母；将所述单晶的氟晶云母作为基片，过渡金属作为靶材，氮气作为反应气体，真空条件下，采用反应溅射方法于所述基片上外延生长过渡金属氮化物薄膜，得到超导薄膜，其中，所述反应溅射方法中，所述基片的温度为700℃‑900℃，所述氮气的流量为2sccm‑10sccm，所述过渡金属氮化物薄膜为单晶薄膜；对带有所述过渡金属氮化物薄膜的所述基片进行减薄，使所述基片的厚度小于等于50μm，得到柔性单晶超导薄膜。本发明实现了柔性和单晶性兼备的超导薄膜的制备。本发明还涉及一种柔性单晶超导薄膜和使用该柔性单晶超导薄膜的超导器件。
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公开(公告)号：CN119800304A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411789552.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种钛酸镁薄膜及其制备方法和应用，涉及钛铁矿型氧化物材料技术领域。本发明提供的钛酸镁薄膜的制备方法，采用磁控溅射技术结合热处理工艺，先在氧化镁基片上沉积TiN薄膜，再通过优化热处理工艺参数使氧化镁基片中的Mg在热处理过程中扩散到TiN薄膜层并与TiN反应生成具有菱面体晶体结构的MgTiO3薄膜，所述MgTiO3薄膜具有高的可见光透过率；并且所述钛酸镁薄膜的制备方法中采用的磁控溅射技术和热处理技术的工艺条件稳定、可控，非常适合于大规模工业化生产；解决了溶胶‑凝胶法制备的钛酸镁薄膜中易存在MgTiO2等多种杂相和大规模工业化生产中质量和性能不一致的问题。
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公开(公告)号：CN117166059A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310894188.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜由Ti0.5Cr0.5N构成，具有面心立方岩盐结构，本发明还公开了自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜的制备方法，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明通过磁控溅射技术得到自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，制备工艺简单，应用范围广，将其与电子和信息存储等产业紧密结合起来，在超导量子器件、新型信息储存器、自旋电子器件等领域中有巨大的应用价值。
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