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发明公开
一种自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117166059A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310894188.8

申请日：2023-07-20

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 何瑞铭 , 曹彦伟 , 张如意 , 毕佳畅

IPC: C30B29/38 , C30B25/06

Abstract: 本发明公开了一种自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜由Ti0.5Cr0.5N构成，具有面心立方岩盐结构，本发明还公开了自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜的制备方法，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明通过磁控溅射技术得到自发交换偏置效应单晶铁磁性薄膜，制备工艺简单，应用范围广，将其与电子和信息存储等产业紧密结合起来，在超导量子器件、新型信息储存器、自旋电子器件等领域中有巨大的应用价值。

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