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公开(公告)号:CN112695380B
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202011297238.7
申请日:2020-11-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材;利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3(LSAT)、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材,以氩气作为溅射气体,直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜;其中,所述溅射方法中,所述基片的温度为750℃‑950℃,所述Ar气的气压为25‑77 Pa;根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s,室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3,室温电导率可达14000 S/cm。
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公开(公告)号:CN113832539B
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202010512090.8
申请日:2020-06-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及柔性单晶超导薄膜的制备方法,包括提供单晶的氟晶云母;将所述单晶的氟晶云母作为基片,过渡金属作为靶材,氮气作为反应气体,真空条件下,采用反应溅射方法于所述基片上外延生长过渡金属氮化物薄膜,得到超导薄膜,其中,所述反应溅射方法中,所述基片的温度为700℃‑900℃,所述氮气的流量为2sccm‑10sccm,所述过渡金属氮化物薄膜为单晶薄膜;对带有所述过渡金属氮化物薄膜的所述基片进行减薄,使所述基片的厚度小于等于50μm,得到柔性单晶超导薄膜。本发明实现了柔性和单晶性兼备的超导薄膜的制备。本发明还涉及一种柔性单晶超导薄膜和使用该柔性单晶超导薄膜的超导器件。
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公开(公告)号:CN112500155A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011236290.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开一种镧掺杂钛酸钡靶材的制备方法,包括以下步骤:1)将BaCO3和TiO2、La2O3和TiO2分别混合球磨得到两种浆料,然后将两种浆料干燥后的得到的粉料分别煅烧,制得BaTiO3、La2Ti2O7粉料;2)按一定比例将BaTiO3、La2Ti2O7粉料混合进行二次球磨后,干燥得到混合粉料;3)将干燥后的混合粉料采用聚乙烯醇溶液造粒、过筛,得到粒径均匀的粉料;4)将造粒后的粉料放入靶材模具,压制、脱模制成生坯;5)将生坯进行排胶、烧结后使用研磨抛光机将烧结成的靶材外表面抛光,清洗后干燥,得到BLTO靶材。
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公开(公告)号:CN112479710A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011275834.5
申请日:2020-11-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及陶瓷靶材领域,特别是涉及一种镍基靶材及其制备方法和应用。通过球磨‑预烧‑二次球磨‑造粒‑制坯‑排胶‑程序式升温烧结‑程序式降温的生产工艺,制备得到了成分纯净,元素和密度分布均匀,且具有良好的机械强度、硬度和致密度的Nd1‑xAxNiO3陶瓷靶材,将其进行磁控溅射生长可得到Nd1‑xAxNiO3薄膜,该薄膜具有良好的结晶度和高质量的单晶外延性质;此外,本发明还提供了一种Nd1‑xAxNiO2薄膜,其具有优良的超导特性和电输运性质。
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公开(公告)号:CN112479710B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202011275834.5
申请日:2020-11-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及陶瓷靶材领域,特别是涉及一种镍基靶材及其制备方法和应用。通过球磨‑预烧‑二次球磨‑造粒‑制坯‑排胶‑程序式升温烧结‑程序式降温的生产工艺,制备得到了成分纯净,元素和密度分布均匀,且具有良好的机械强度、硬度和致密度的Nd1‑xAxNiO3陶瓷靶材,将其进行磁控溅射生长可得到Nd1‑xAxNiO3薄膜,该薄膜具有良好的结晶度和高质量的单晶外延性质;此外,本发明还提供了一种Nd1‑xAxNiO2薄膜,其具有优良的超导特性和电输运性质。
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公开(公告)号:CN112500155B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202011236290.1
申请日:2020-11-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开一种镧掺杂钛酸钡靶材的制备方法,包括以下步骤:1)将BaCO3和TiO2、La2O3和TiO2分别混合球磨得到两种浆料,然后将两种浆料干燥后的得到的粉料分别煅烧,制得BaTiO3、La2Ti2O7粉料;2)按一定比例将BaTiO3、La2Ti2O7粉料混合进行二次球磨后,干燥得到混合粉料;3)将干燥后的混合粉料采用聚乙烯醇溶液造粒、过筛,得到粒径均匀的粉料;4)将造粒后的粉料放入靶材模具,压制、脱模制成生坯;5)将生坯进行排胶、烧结后使用研磨抛光机将烧结成的靶材外表面抛光,清洗后干燥,得到BLTO靶材。
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公开(公告)号:CN113832539A
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202010512090.8
申请日:2020-06-08
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及柔性单晶超导薄膜的制备方法,包括提供单晶的氟晶云母;将所述单晶的氟晶云母作为基片,过渡金属作为靶材,氮气作为反应气体,真空条件下,采用反应溅射方法于所述基片上外延生长过渡金属氮化物薄膜,得到超导薄膜,其中,所述反应溅射方法中,所述基片的温度为700℃‑900℃,所述氮气的流量为2sccm‑10sccm,所述过渡金属氮化物薄膜为单晶薄膜;对带有所述过渡金属氮化物薄膜的所述基片进行减薄,使所述基片的厚度小于等于50μm,得到柔性单晶超导薄膜。本发明实现了柔性和单晶性兼备的超导薄膜的制备。本发明还涉及一种柔性单晶超导薄膜和使用该柔性单晶超导薄膜的超导器件。
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公开(公告)号:CN112695380A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011297238.7
申请日:2020-11-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材;利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3(LSAT)、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材,以氩气作为溅射气体,直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜;其中,所述溅射方法中,所述基片的温度为750℃‑950℃,所述Ar气的气压为25‑77 Pa;根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s,室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3,室温电导率可达14000 S/cm。
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公开(公告)号:CN212365927U
公开(公告)日:2021-01-15
申请号:CN202020835160.9
申请日:2020-05-19
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型涉及一种加热台,包括基座,所述基座设有安装面,所述安装面用于承载基片,且所述基座为由MAX相陶瓷材料制成的基座;加热组件,所述加热组件位于所述安装面的背面下方,所述加热组件用于加热所述基座;测温组件,所述测温组件连于所述基座并用于直接测量所述基座的温度。本实用新型的加热台具有优异的热导率、耐高温和抗氧化效果,适用于磁控溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、物理蒸镀等真空薄膜生长系统中。
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