公开(公告)号：CN112695380B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202011297238.7

申请日：2020-11-19

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张如意 ,  曹彦伟 ,  宋洋 ,  彭绍勤 ,  毕佳畅

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77 Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3，室温电导率可达14000 S/cm。

公开(公告)号：CN112695380A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011297238.7

申请日：2020-11-19

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张如意 ,  曹彦伟 ,  宋洋 ,  彭绍勤 ,  毕佳畅

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/06 ,  C30B29/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明公开一种新型透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：利用固相反应法制备Ba1‑xLaxSnO3得到BLSO磁控溅射靶材；利用SrTiO3、MgO、LaAlO3、(La,Sr)(Al,Ta)O3（LSAT）、MgAl2O4、Al2O3单晶基片和BLSO磁控溅射靶材，以氩气作为溅射气体，直接沉积制备BLSO薄膜即可制备得到新型透明导电氧化物薄膜；其中，所述溅射方法中，所述基片的温度为750℃‑950℃，所述Ar气的气压为25‑77 Pa；根据本发明制备的透明导电氧化物薄膜室温迁移率可达115 cm2/V∙s，室温载流子浓度可达1.2×1021 cm‑3，室温电导率可达14000 S/cm。