公开(公告)号：CN116623282A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310420997.5

申请日：2023-04-19

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张腾腾 ,  曹彦伟 ,  张广超 ,  张顺达 ,  张如意

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。

公开(公告)号：CN116334533A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310159057.5

申请日：2023-02-23

Applicant: 上海大学 ,  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张广超 ,  杜娟 ,  曹彦伟 ,  毕佳畅 ,  张如意 ,  周炜松

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C30B29/32 ,  C30B29/24

Abstract: 本发明提供了一种单相多铁性材料、单相多铁性薄膜及其制备方法和应用，其中单相多铁性材料的化学式为Dy0.5Ba0.5TiO3。一种单相多铁性薄膜，该薄膜的组分包括Dy0.5Ba0.5TiO3，制备方法如下：利用固相反应法制备Dy0.5Ba0.5TiO3靶材；以Dy0.5Ba0.5TiO3靶材作为靶材，以氩气作为溅射气体，使用射频电源，在单晶基片上进行磁控溅射，得到单相多铁性薄膜。本发明中的单相多铁性材料Dy0.5Ba0.5TiO3，材料中铁电极化和磁性同源，均由磁性诱导产生，增强了材料中的磁电耦合效应。