公开(公告)号：CN116623282A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310420997.5

申请日：2023-04-19

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张腾腾 ,  曹彦伟 ,  张广超 ,  张顺达 ,  张如意

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。

公开(公告)号：CN119899999A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411856843.1

申请日：2024-12-17

Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

Inventor： 张婷婷 ,  曹彦伟 ,  张如意 ,  张顺达 ,  苏冠华

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种激光加热体及其制备方法和应用，激光加热体包括基底和设置在所述基底背面的薄膜，所述基底的材料为SiC，所述薄膜的材料为MN，M选自Ti,Nb,V,Zr,Hf,Ta,Mo,W中的一种。本发明在SiC基底上设置MN薄膜，能够有效提升激光加热体的能量吸收效率，使得在相同激光输入条件下，显著提升温度，进而实现节能效果。