公开(公告)号：CN112825259A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011237357.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 李珉贤 ,  H.张 ,  D.哈姆 ,  C.刘 ,  H.欣顿 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/54 ,  G11C13/04 ,  G06N3/04 ,  G06N3/067 ,  G06N3/08

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

公开(公告)号：CN109324474B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201810722896.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  郑盛骏 ,  朴晟准

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。

公开(公告)号：CN109037222B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201810558824.9

申请日：2018-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  金海龙 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H10B41/20

Abstract: 提供包括2维(2D)材料的非易失性存储器件和包括该非易失性存储器件的装置。非易失性存储器件可以包括在沟道元件与面对沟道元件的栅极电极之间的包括多个电荷存储层的存储堆叠。多个电荷存储层可以包括2D材料。层间势垒层可以进一步设置在多个电荷存储层之间。该非易失性存储器件可以由于所述多个电荷存储层而具有多位或多电平存储特性。

公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN108572512B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711188432.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  李珉贤 ,  赵连柱

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。

公开(公告)号：CN107359686B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201710325561.2

申请日：2017-05-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 卞卿溵 ,  金在瑛 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  白正民 ,  梁宇正 ,  芮秉旭 ,  李在元 ,  李镇杓 ,  金京男

IPC: H02J7/32

Abstract: 本发明公开了一种摩擦电发生器，该摩擦电发生器包括构造为通过滑动运动而彼此接触的第一充电部和第二充电部。此外，该摩擦电发生器包括构造为将电荷储存器间歇地连接到第二充电部的接地单元。接地单元被构造为改变第二充电部的电位从而放大在该摩擦电发生器的电极之间流动的电流。

公开(公告)号：CN114597123A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202110799218.8

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  崔太镇

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311

Abstract: 提供包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用所述硬掩模的图案化方法。所述硬掩模提供在基材上且用于将所述基材图案化的工艺，并且所述硬掩模包括非晶氮化硼膜。

公开(公告)号：CN114171519A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110932691.9

申请日：2021-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  李民妵 ,  金完敦 ,  申铉振 ,  李贤培 ,  林炫锡

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。

公开(公告)号：CN113224127A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535068.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种包括至少一个二维(2D)沟道的晶体管和电子设备。根据一些示例实施方式的晶体管包括彼此分开的第一至第三电极以及与第一电极和第二电极接触、平行于第三电极并且包括至少一个2D沟道的沟道层。所述至少一个2D沟道包括具有不同掺杂浓度的至少两个区域。根据一些示例实施方式的晶体管包括：彼此分开的第一至第三电极；与第一电极和第二电极接触并平行于第三电极的2D沟道层；第一掺杂层，设置在与第一电极对应的二维沟道层下方；以及第二掺杂层，设置在与第二电极对应的2D沟道层下方，其中第一掺杂层和第二掺杂层与2D沟道层接触。

公开(公告)号：CN113161412A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011576877.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  张镐元 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 本公开提供场效应晶体管及其制造方法，该场效应晶体管包括具有二维材料的栅绝缘层。该场效应晶体管可以包括：第一沟道层；设置在第一沟道层上的第二沟道层；设置在第二沟道层上的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上的栅电极；电连接到第一沟道层的第一电极；以及电连接到第二沟道层的第二电极。这里，栅绝缘层可以包括绝缘高k二维材料。