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发明公开
非易失性存储器及其操作方法审中-实审

公开(公告)号：CN112825259A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011237357.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 , 哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 李珉贤 , H.张 , D.哈姆 , C.刘 , H.欣顿 , 金海龙 , 申铉振

IPC: G11C13/00 , G11C11/54 , G11C13/04 , G06N3/04 , G06N3/067 , G06N3/08

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

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