公开(公告)号：CN112825259A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011237357.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 李珉贤 ,  H.张 ,  D.哈姆 ,  C.刘 ,  H.欣顿 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/54 ,  G11C13/04 ,  G06N3/04 ,  G06N3/067 ,  G06N3/08

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

公开(公告)号：CN107425858A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710215924.7

申请日：2017-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.巴比奇 ,  A.Y.陈 ,  C.刘 ,  B.纳拉普尔迪

IPC: H04B1/00 ,  H04B1/10 ,  H04B17/21 ,  G01S19/13

Abstract: 提供了一种方法和设备。该设备包括处理器，该处理器配置为生成第一方波；生成第二方波，其中，第一方波和第二方波由参考频率振荡器驱动；利用第一方波对射频波进行调制；将调制的射频波降频转换为中频；对降频转换的调制的射频波进行滤波；将滤波的降频转换的调制的射频波转换为数字信号；以及对数字信号进行积分。

公开(公告)号：CN107425858B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201710215924.7

申请日：2017-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.巴比奇 ,  A.Y.陈 ,  C.刘 ,  B.纳拉普尔迪

IPC: H04B1/00 ,  H04B1/10 ,  H04B17/21 ,  G01S19/13

Abstract: 提供了一种方法和设备。该设备包括处理器，该处理器配置为生成第一方波；生成第二方波，其中，第一方波和第二方波由参考频率振荡器驱动；利用第一方波对射频波进行调制；将调制的射频波降频转换为中频；对降频转换的调制的射频波进行滤波；将滤波的降频转换的调制的射频波转换为数字信号；以及对数字信号进行积分。