公开(公告)号：CN102479727A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110387945.X

申请日：2011-11-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 谷泽秀和 ,  前岛纪男

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够使用不需要按压销的模具，进一步提高散热性的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备组装中间体，该组装中间体在具有引线端子的金属板的一个面上载置功率元件，并具有绝缘树脂层，该绝缘树脂层固定安装在金属板的另一个面与金属层的上表面之间、具有通过加热而热膨胀的特性；以将组装中间体的金属层的下表面与树脂封装模具中的下模具凹部的底面相对地进行配置；通过下模具凹部和上模具凹部形成塑模树脂填充空间；对绝缘树脂层加热，使绝缘树脂层的厚度增加，向下模具凹部的底面按压金属层；以及将塑模树脂填充到塑模树脂填充空间内。

公开(公告)号：CN103794574B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310367326.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 吉崎茂雄 ,  谷泽秀和 ,  田中敦彦 ,  小林涉 ,  酒井纮平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。

公开(公告)号：CN104798185B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 ,  佐藤伸二 ,  谷泽秀和 ,  松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。

公开(公告)号：CN104798185A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380059808.0

申请日：2013-11-13

Applicant: 日产自动车株式会社 ,  三垦电气株式会社

Inventor： 谷本智 ,  佐藤伸二 ,  谷泽秀和 ,  松井康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小亚铃截面构造体(4)。

公开(公告)号：CN103794574A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310367326.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 吉崎茂雄 ,  谷泽秀和 ,  田中敦彦 ,  小林涉 ,  酒井纮平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。

公开(公告)号：CN202332797U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120484317.9

申请日：2011-11-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 谷泽秀和 ,  前岛纪男

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/36

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供一种能够使用不需要按压销的模具，进一步提高散热性的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本实用新型的半导体装置的制造方法的特征在于，包括如下步骤：准备组装中间体，该组装中间体在具有引线端子的金属板的一个面上载置功率元件，并具有绝缘树脂层，该绝缘树脂层固定安装在金属板的另一个面与金属层的上表面之间、具有通过加热而热膨胀的特性；以将组装中间体的金属层的下表面与树脂封装模具中的下模具凹部的底面相对地进行配置；通过下模具凹部和上模具凹部形成塑模树脂填充空间；对绝缘树脂层加热，使绝缘树脂层的厚度增加，向下模具凹部的底面按压金属层；以及将塑模树脂填充到塑模树脂填充空间内。

公开(公告)号：CN203038909U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201320022117.0

申请日：2013-01-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 谷泽秀和

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/56 ,  B29C45/02 ,  B29C45/14

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型提供半导体模块，其通过简单的制造方法获得，并具有电浮的金属板在模塑层的一面露出的结构且可靠性高。模塑材料从各浇口（40）通过下垫板（15）之上后，在下垫板（13）侧平行地且沿着绝缘性树脂层突起部（21）的长度方向流动。由此，尤其是在下垫板（13）所在的一侧，模塑材料从图2中的上侧朝向下侧均匀地流动。因此，绝缘性树脂层突起部（21）很难受到来自模塑材料的压力。由此，能够抑制绝缘性树脂层突起部（21）的变形，在维持原本的状态下形成模塑树脂层（11）。