公开(公告)号：CN103794574A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310367326.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 吉崎茂雄 ,  谷泽秀和 ,  田中敦彦 ,  小林涉 ,  酒井纮平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。

公开(公告)号：CN103794574B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310367326.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 吉崎茂雄 ,  谷泽秀和 ,  田中敦彦 ,  小林涉 ,  酒井纮平

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。