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公开(公告)号：CN103794574A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310367326.3
申请日：2013-08-21
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。
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公开(公告)号：CN103794574B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310367326.3
申请日：2013-08-21
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在制造半导体装置时能够防止树脂材料从引线框的彼此相邻的岛部之间的间隙不必要地流出。半导体装置具有：金属制基板（12）；位于金属制基板（12）上并进行热硬化而成的电气绝缘性的下层树脂（15s）；位于下层树脂（15s）上并进行热硬化而成的上层树脂（16s）；位于上层树脂（16s）上，并具有彼此相邻的岛部（30a、30b）的引线框（18）；以及配置于岛部（30）上的半导体元件（22）。在下层树脂（15s）的热硬化反应完成后，上层树脂（16s）的热硬化反应完成。而且，上层树脂（16s）的一部分进入除去岛部（30a、30b）的上层树脂（16s）侧的部分中彼此面对的相对边部（32a、32b）而成的除去空间（S）内。
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公开(公告)号：CN110520979B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201880024454.9
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具有一面(20a)及与一面(20a)相连的侧面(20c，20d，20f)、并且一面(20a)及侧面(20c，20d，20f)成为被模塑树脂(60)密封的密封区域(23)的基材(20)中，在一面(20a)中的构成密封区域(23)的区域构成一面凹凸区域(25)，在侧面(20c，20d，20f)中的构成密封区域(23)的区域构成侧面凹凸区域。
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公开(公告)号：CN110520979A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880024454.9
申请日：2018-03-08
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 在具有一面(20a)及与一面(20a)相连的侧面(20c，20d，20f)、并且一面(20a)及侧面(20c，20d，20f)成为被模塑树脂(60)密封的密封区域(23)的基材(20)中，在一面(20a)中的构成密封区域(23)的区域构成一面凹凸区域(25)，在侧面(20c，20d，20f)中的构成密封区域(23)的区域构成侧面凹凸区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109891575B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201780063832.X
申请日：2017-08-03
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L23/28 , B23K26/00 , B23K26/354 , B29C65/00 , H01L23/50
Abstract: 电子装置(1)具备：支承部件(2)，具有搭载面(23)和密封面(24)，该搭载面(23)为与导电性接合层接合的金属质表面，该密封面(24)是以在搭载面的面内方向上与搭载面邻接、并且包围搭载面的方式设于搭载面的外侧的金属质表面；以及树脂部件(5)，是合成树脂成形体，覆盖电子部件，并且与密封面接合。密封面具有由多个大致圆形状的激光照射痕(26)形成的粗糙面(25)。粗糙面包含第一区域(28)和第二区域(29)，该第二区域(29)的面内方向上的激光照射痕的密度高于第一区域的面内方向上的激光照射痕的密度。
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公开(公告)号：CN110073035A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780069366.6
申请日：2017-11-02
Applicant: 株式会社电装
IPC: C23F4/02 , B23K26/00 , B23K26/354 , B29C65/00 , B29C65/70
Abstract: 一种金属构件，其具有金属基材(10)和形成于凹凸层上的网眼状的金属多孔层(12)，所述金属基材(10)具有一面(10a)，由金属材料构成，并且具有从一面被制成由凹凸形状构成的凹凸层(11)的区域。一种金属构件，其将凹凸层的凹凸形状中的在相对于一面的法线方向上突出的部分设定为凸部，构成凹凸层的多个凸部的平均高度低于100μm。一种金属构件，其将相对于下述切线的法线方向设定为凹凸法线方向，所述切线为相对于凹凸层中的与金属多孔层的界面即凹凸表面(11a)的切线，金属多孔层的凹凸法线方向上的厚度低于1μm。
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公开(公告)号：CN105722633B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201480060594.3
申请日：2014-11-10
Applicant: 株式会社电装
IPC: B23K26/00 , B23K26/359 , H01L21/50 , H01L21/52
CPC classification number: B23K26/359 , B23K26/00 , B23K26/0006 , B23K26/0626 , B23K26/354 , B23K26/355 , B23K26/3584 , B23K2101/40 , B23K2103/08 , H01L21/4821 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/49513 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29155 , H01L2224/29164 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2924/40102 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于通过较以往为低能量密度的能量束来形成能够确保金属构件与其他构件的密合性的粗糙面或者可以抑制金属构件中的软钎料的扩散的粗糙面。本发明的基材(21)的表面上设有金属薄膜(22)的金属构件(2)的表面加工方法具有通过对所述金属薄膜的表面(22a)以脉冲宽度为1μ秒以下照射能量密度为100J/cm2以下的脉冲振荡的激光束、从而使所述金属薄膜的表面部分熔融或蒸发、在所述熔融或蒸发之后使所述金属薄膜的表面部分凝固、从而将所述金属薄膜的表面进行粗糙化，所述金属薄膜由以Ni、Au、Pd、Ag中的至少1种为主成分的材料所构成。
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公开(公告)号：CN114503255A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069629.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a)，朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域，至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上的线片。线片中的至少一个在俯视时朝向元件中心延伸。
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