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公开(公告)号：CN106537507B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC分类号： H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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公开(公告)号：CN107464808A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710408034.8
申请日：2017-06-02
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L27/0817 , H01L27/1023 , H01L27/1052 , H01L27/10805 , H01L27/11 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L27/108 , H01L27/10844
摘要： 公开了使用在与晶闸管相邻的沟槽中具有栅极、NMOS或PMOS的垂直晶闸管的易失性存储器阵列以及制造所述阵列的方法。
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公开(公告)号：CN107046034A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710067914.3
申请日：2017-02-07
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： H01L27/102 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/8229 , G11C11/39
摘要： 本发明提供了用于减小在存储器阵列中的晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统。通过使用具有减小的少数载流子寿命的材料作为嵌在阵列内的阴极线来减小单元之间的电气干扰效应。还通过形成阴极线内的势阱或阴极线中的单侧势垒来减小干扰效应。
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公开(公告)号：CN107039063A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242776.X
申请日：2016-12-29
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： G11C11/419 , G11C7/10 , G11C11/39 , G11C11/418 , G11C16/26 , H01L27/1027 , G11C8/16 , G11C7/1075 , G11C7/18 , G11C8/14
摘要： 新存储技术的存取速度可能不兼容现有存储器技术的产品规格，例如DRAM、SRAM和闪存技术。它们的电气参数和表现不同，使得它们在不具有新的架构和设计来克服其限制的情况下不能满足现有的存储器芯规格。新型存储器，例如STT‑MRAM、电阻RAM、相变RAM和被称为垂直层闸流晶体管(VLT)RAM的新一类存储器需要新的读取感测和写入电路，其并入了新的电压或电流电平和时序控制，以使这些存储器技术能够在现今的系统中工作。提供了系统和方法，以用于使这些技术的存储器芯对于现有外围逻辑器件是透明的，以使它们可以容易地被集成。
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公开(公告)号：CN106030716A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580011020.1
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/083 , H01L29/0847 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/66272 , H01L29/66386 , H01L29/732 , H01L29/742 , H01L29/7455
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030713A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010863.X
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C7/00
CPC分类号： H01L27/1025 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , G11C11/412 , G11C11/419 , H01L21/76229 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L23/528 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/083 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/42304 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/7436 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN1983449A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610142513.1
申请日：2006-10-18
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
IPC分类号： G11C17/12
摘要： 本发明提供了一种用于形成在存储器阵列中的可编程存储单元，该存储器阵列设有列位线与行字线。该存储单元包括一击穿晶体管，该击穿晶体管的门电路连接到一编程字线，以及一写晶体管，该写晶体管在一感测节点与击穿晶体管串联。该写晶体管的门电路连接到一写字线。进一步地，一第一感测晶体管的门电路连接到感测节点。一第二感测晶体管与第一感测晶体管串联，该第二感测晶体管的门电路连接到一读字线，该第二感测晶体管的源极连接到一列位线。
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公开(公告)号：CN107046035A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710067915.8
申请日：2017-02-07
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
发明人： H·卢安
IPC分类号： H01L27/102 , H01L21/8229 , G11C11/39
摘要： 本发明提供了用于减小在存储器阵列中的晶闸管存储器单元之间的电气干扰效应的方法和系统。通过使用具有减小的少数载流子寿命的材料作为嵌在阵列内的阴极线来减小单元之间的电气干扰效应。还通过形成阴极线内的势阱或阴极线中的单侧势垒来减小干扰效应。
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公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
摘要： 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。
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