公开(公告)号：CN106030715A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010761.8

申请日：2015-09-25

Applicant: 克劳帕斯科技有限公司

Inventor： H·栾 ,  B·贝特曼 ,  V·阿克赛尔拉德 ,  C·程

IPC: G11C11/00 ,  H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/1027 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4026 ,  G11C11/406 ,  H01L21/76 ,  H01L27/1023 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。

公开(公告)号：CN102768850A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110114256.1

申请日：2011-05-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 梁擎擎 ,  童小东 ,  钟汇才 ,  朱慧珑

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4026 ,  H01L27/1027

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。

公开(公告)号：CN106030718A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580010678.0

申请日：2015-09-25

Applicant: 克劳帕斯科技有限公司

Inventor： H·栾 ,  B·贝特曼 ,  V·阿克赛尔拉德 ,  C·程

IPC: G11C11/34

CPC classification number: H01L27/1027 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4026 ,  G11C11/406 ,  H01L21/76 ,  H01L27/1023 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/87

Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。

公开(公告)号：CN102037515A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118151.4

申请日：2009-04-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 钱德拉·穆利

IPC: G11C8/08

CPC classification number: H01L27/2418 ,  G11C5/02 ,  G11C11/34 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4026 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/6609 ,  H01L45/00 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: 一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。

公开(公告)号：CN102768850B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110114256.1

申请日：2011-05-04

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 梁擎擎 ,  童小东 ,  钟汇才 ,  朱慧珑

IPC: G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/4026 ,  H01L27/1027

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及半导体存储装置。该半导体器件可以用作存储单元，且包括：依次设置的第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层和第二N型半导体层。可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加大于穿通电压VBO的正向偏置，在该器件中存储第一数据状态。也可以通过在第一P型半导体层与第二N型半导体层之间施加处于该半导体器件的反向击穿区的反向偏置，在该器件中存储第二数据状态。因此，可以有效地将该半导体器件用于存储数据。该半导体存储装置包括由上述半导体器件构成的存储单元的阵列。

公开(公告)号：CN102037515B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980118151.4

申请日：2009-04-30

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 钱德拉·穆利

IPC: G11C8/08

CPC classification number: H01L27/2418 ,  G11C5/02 ,  G11C11/34 ,  G11C11/39 ,  G11C11/4026 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/76 ,  G11C2216/08 ,  H01L29/6609 ,  H01L45/00 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/16

Abstract: 一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成三个或三个以上不同电阻状态中的一者；及二极管，其经配置以响应于正跨越所述字线与所述位线施加的电压而允许电流从所述字线穿过所述存储器元件流动到所述位线且无论所述电压增加还是减小均使所述电流减小。一些实施例包含存储器装置，所述存储器装置具有：字线；位线；存储器元件，其可选择性地配置成两个或两个以上不同电阻状态中的一者；第一二极管，其经配置以响应于第一电压而抑制第一电流从所述位线流动到所述字线；及第二二极管，其包括电介质材料且经配置以响应于第二电压而允许第二电流从所述字线流动到所述位线。