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公开(公告)号：CN106030715A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010761.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了制造该阵列的方法。
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公开(公告)号：CN106030718A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010678.0
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/34
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , G11C11/4026 , G11C11/406 , H01L21/76 , H01L27/1023 , H01L29/66363 , H01L29/87
Abstract: 本发明公开了一种使用垂直闸流晶体管的易失性存储器阵列，同时公开了操作该阵列以读取、写入、保持和刷新其中存储的数据的方法。
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公开(公告)号：CN106537507B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201580011000.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/00 , G11C11/411 , G11C7/12 , G11C11/34 , G11C11/419
CPC classification number: H01L27/0623 , G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/4116 , G11C11/416 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L29/7404 , H01L29/7436
Abstract: 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。特定电路在待机过程中提供降低的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107464808A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710408034.8
申请日：2017-06-02
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/1027 , G11C11/39 , H01L27/0817 , H01L27/1023 , H01L27/1052 , H01L27/10805 , H01L27/11 , H01L29/42308 , H01L29/74 , H01L27/108 , H01L27/10844
Abstract: 公开了使用在与晶闸管相邻的沟槽中具有栅极、NMOS或PMOS的垂直晶闸管的易失性存储器阵列以及制造所述阵列的方法。
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公开(公告)号：CN106030716A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580011020.1
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC classification number: H01L27/1104 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1025 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/083 , H01L29/0847 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/66272 , H01L29/66386 , H01L29/732 , H01L29/742 , H01L29/7455
Abstract: 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN106030713A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580010863.X
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C7/00
CPC classification number: H01L27/1025 , G11C11/39 , G11C11/41 , G11C11/411 , G11C11/412 , G11C11/419 , H01L21/76229 , H01L21/768 , H01L21/8229 , H01L21/8249 , H01L23/528 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/11 , H01L27/1104 , H01L29/0642 , H01L29/0649 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/083 , H01L29/1004 , H01L29/1012 , H01L29/1095 , H01L29/42304 , H01L29/6625 , H01L29/66272 , H01L29/735 , H01L29/737 , H01L29/7436 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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公开(公告)号：CN107492553A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710438733.7
申请日：2017-06-12
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: H01L27/112 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC classification number: G11C17/18 , G11C17/14 , G11C17/16 , H01L23/535 , H01L27/11206
Abstract: 在阵列中的OTP(一次性可编程)存储器单元，具有编程MOSFET以及对称地置于编程MOSFET的两侧中任一侧上的存取晶体管。存储器单元的平衡布局改进了光刻效应，带来了改进的工艺结果。对存储器单元进行编程的结果也得以改进。
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公开(公告)号：CN106062878A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011001.9
申请日：2015-09-25
Applicant: 克劳帕斯科技有限公司
IPC: G11C11/00 , G11C11/411 , G11C11/419 , G11C11/34 , G11C7/12
CPC classification number: G11C11/39 , G11C11/4113 , G11C11/416 , G11C11/418 , G11C11/419 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L27/0821 , H01L27/0826 , H01L27/1027 , H01L27/1104
Abstract: 说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同操作方法。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。
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