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公开(公告)号：CN104272433B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380019986.0
申请日：2013-02-13
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01L31/18 , H01L33/005
摘要： 描述了离子注入的方法和系统，其中使用碳掺杂剂源材料实施碳掺杂。描述了各种气体混合物，包括碳掺杂剂源材料，以及用于所述碳掺杂剂的协流气体结合物。描述了在碳掺杂剂源材料中提供原位清洗，以及描述了具体的碳掺杂剂源气体、氢化物气体、氟化物气体、惰性气体、氧化物气体和其他气体的结合物。
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公开(公告)号：CN104681383B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410660475.3
申请日：2014-11-19
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/153
CPC分类号： H01J37/263 , B08B7/00 , H01J37/26 , H01J2237/022 , H01J2237/2614
摘要： 本发明涉及一种用于清洁用于透射式电子显微镜的相位板（1）的方法，其中，在第一次在TEM中照射之前对所述相位板进行蚀刻，并且然后保持在超高纯保持气氛中直至TEM中的照射为止。
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公开(公告)号：CN107768223A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710556214.0
申请日：2017-07-10
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32871 , B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01J37/02 , H01J37/26 , H01J37/30 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32862 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J37/32669 , H01J2237/335
摘要： 本发明涉及与等离子清洁机一起使用的磁体。等离子体发生器位于真空室外侧并生成中性活性粒子和带电粒子。定位在等离子体发生器外侧的磁体使带电粒子偏转，从而防止其中的一些或全部进入真空室，由此防止在真空室中形成二次等离子体源，同时允许中性活性粒子进入真空室以减少污染物。
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公开(公告)号：CN105474349B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480025170.3
申请日：2014-05-02
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/022 , H01J2237/304
摘要： 本发明公开一种用于减少离子注入系统中的微粒污染的方法，其中经由离子源与引出电极组件的协同操作而产生离子束。向离子源施加阴极电压以在其中生成离子，并且向引出组件施加抑制电压以阻碍离子束中的电子卷入离子源。选择性调制抑制电压，由此诱发穿过引出组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。根据前述，本发明还公开改进的离子注入系统，其中控制器配置成基本在传送工件的同时选择性将电压调制于预定电压与预定的抑制电压之间，由此诱发穿过引出电极组件的电流或弧放电，以移除其表面上的沉淀物，进而减轻工件的后续污染。
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公开(公告)号：CN107393795A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710707294.5
申请日：2011-02-26
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2225 , F17C7/00 , H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/304 , H01L21/223 , H01L21/26506 , Y02E60/321 , Y10T428/13
摘要： 本申请涉及用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备，并提供一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。
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公开(公告)号：CN107030064A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610946708.5
申请日：2016-10-26
申请人： 汉辰科技股份有限公司
IPC分类号： B08B7/00 , B08B11/04 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/30 , B08B7/00 , B08B7/0035 , H01J37/20 , H01J37/304 , H01J2237/022 , H01J2237/2002 , H01J2237/30466 , H01L21/6833 , H02N13/00 , B08B11/04 , H01L21/6831
摘要： 一种清洁静电吸盘的方法。在静电吸盘并未固持任何工件于其工作表面时，传输离子束至静电吸盘的工作表面，借以通过离子束与工作表面上沉积物的相互作用，像是物理性轰击及/或化学性结合，将沉积物自静电吸盘工作表面移除。借此，在静电吸盘并未固持工件时出现在静电吸盘工作表面的沉积物，不论是自工件脱落的光阻剂或是漂浮于制造过程反应室的颗粒等等，对于静电吸盘与工件之间实际固持力量的影响得以改善。离子束的电流量、能量与离子种类皆可以视沉积物的结构、厚度与材料等而定，像是使用低能量离子束以减少损伤静电吸盘工作表面的可能性，像是使用氧离子或是惰性气体离子等来一面移除沉积物又一面减少对静电吸盘工作表面的电介质层导电性的影响。
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公开(公告)号：CN105340049B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480037223.3
申请日：2014-05-02
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01L21/425
CPC分类号： C23F4/00 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/022 , H01J2237/3341
摘要： 本发明提供一种离子源及其操作方法。所述离子源包括离子源腔室、配置在离子源腔室中且经设置以发射电子以产生电弧等离子体的阴极、以及经设置以将电子驱除回到电弧等离子体中的斥拒极。离子源腔室及阴极可包括耐火金属。离子源腔室还包括经设置以提供卤素物种至离子源腔室的气体源。在第一组操作条件下，反应性插件与卤素物种互相起作用以在离子源腔室中得到耐火金属的第一蚀刻速率，当离子源腔室中不配置有反应性插件时，在第一组操作条件下，离子源腔室中的耐火金属的第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。该方案除了减少离子源表面的金属蚀刻外，使用硅做为反应性插件的实施例的优点包括没有额外的金属物种从硅插件被引入至电弧等离子体中。
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公开(公告)号：CN103632916B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310380150.5
申请日：2013-08-27
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32477 , C23C14/564 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32449 , H01J37/32495 , H01J37/32504 , H01J37/32559 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32651 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/022
摘要： 本发明涉及调整等离子体处理系统的方位非均匀性的对称返回衬垫，公开了用于调整等离子体处理室中的方位非均匀性的方法和装置。装置包括具有等离子体处理室和室衬的等离子体处理系统。调整方位非均匀性包括提供成组的导电带以将室衬连接至接地环，其中该成组的导电带中的导电带数量大于8。替代地或另外地，镜像切口针对室衬中的配对的现有切口或端口而提供。替代地或另外地，室衬具有针对配对结构而提供的虚设结构，该配对结构阻碍室中的气流和RF返回电流中的至少一者。
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公开(公告)号：CN102456529B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110398803.3
申请日：2011-10-14
申请人： 卡尔·蔡司显微镜学公司
发明人： S·J·比恩
IPC分类号： H01J37/26 , H01J37/141
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/18 , H01J2237/022 , H01J2237/1415 , H01J2237/188 , H01J2237/2608
摘要： 本发明涉及带电粒子束装置的改进和涉及带电粒子束装置的改进。在一种例如电子显微镜的带电粒子束设备中，射束生成装置(101)产生聚焦的带电粒子束e?，该带电粒子束入射在样品室(102)中的样品(104)上，该样品室(102)将该样品保持在气体环境中。压强限制孔(144)提供样品室与射束生成装置的局部气体隔离，并且被设置在后者的透镜(114)中。该设备包括管道，例如在该透镜中的中间室(132)，在使用中，通过该管道，气体被供应以形成从透镜的区域朝向样品的气流，因此防止从样品释放的材料碰撞在压强限制孔上，以防止后者的污染。该设备可被用于用带电粒子束扫描样品的方法中，例如用在电子显微镜检查的方法中。
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公开(公告)号：CN104285273A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
摘要： 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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