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公开(公告)号：CN113113481A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110023607.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/45 , H01L29/872
Abstract: 本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。
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公开(公告)号：CN107068773B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201611159323.0
申请日：2016-12-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。
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公开(公告)号：CN112424947A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046489.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为常闭型半导体装置且包括氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜具有刚玉结构，或者包含氧化镓或其混晶作为主成分，所述半导体装置的阈值电压为3V以上。
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公开(公告)号：CN112424945A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201980046420.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/786 , H01L21/314 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种层叠结构体，其特征在于，在包含氧化镓或其混晶作为主成分的氧化物半导体膜上，层叠有包含元素周期表第15族元素中的至少一种元素的氧化膜。
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公开(公告)号：CN112385048A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980046507.1
申请日：2019-07-11
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶具有刚玉结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110797396A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911118223.7
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L27/098 , H01L33/00 , H01L33/26 , H01L21/34 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L33/44 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110164961A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910603781.6
申请日：2015-03-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/477 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及结晶性层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
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公开(公告)号：CN109952392A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201780068749.1
申请日：2017-11-07
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B25/02 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。
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公开(公告)号：CN104736747A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380002359.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , C30B7/14 , C30B25/14 , C30B29/22 , H01L21/205 , H01L21/368
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/20 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/4482 , C30B7/14 , C30B25/14 , C30B29/16 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628
Abstract: 提供能够同时实现碳杂质浓度的降低和高成膜速度、并且能够分别制作稳定的结晶结构的薄膜制造方法。本发明提供一种氧化物结晶薄膜的制造方法，其具备：使含有镓化合物和铟化合物中的至少一种和水的原料溶液进行微粒化，将所生成的原料微粒通过载气供给至成膜室中，在上述成膜室内配置的被成膜试样上形成氧化物结晶薄膜的工序，上述镓化合物和铟化合物中的至少一种为溴化物或碘化物。
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公开(公告)号：CN119654782A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380057977.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 提供一种能够在抑制氧化镓系半导体的特性劣化的同时进行工作的功率转换电路。一种功率转换电路，至少具有开关元件、以及检测所述开关元件的短路状态并基于检测结果来执行所述开关元件的关断操作的控制部，其中，所述开关元件包含氧化镓系半导体，所述控制部控制所述开关元件的关断操作，以使从所述短路的发生开始到关断操作为止的时间小于1.4μsec。
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