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公开(公告)号：CN114836833A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114270531A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059351.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×107cm‑2以下且表面积为10mm2以上的结晶膜。
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公开(公告)号：CN109423691B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201810954980.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐贺大学
Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN109423690B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201810948079.9
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐贺大学
Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。
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公开(公告)号：CN107068773B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201611159323.0
申请日：2016-12-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/47
Abstract: 本发明提供一种半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置。该半导体装置至少具备：含有具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分的半导体层，以及上述半导体层上的肖特基电极，形成上述肖特基电极时，通过使上述肖特基电极含有元素周期表第4族～第9族的金属，能够在不损害半导体特性的情况下制造半导体特性和肖特基特性优异的半导体装置，并将所得半导体装置用于功率器件等。
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公开(公告)号：CN114836833B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
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