公开(公告)号：CN118444523A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311574500.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  李信昌 ,  李环陵 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 一种光罩护膜及其制造方法，用于EUV光罩的光罩护膜包括附接至框架的薄膜。薄膜包括纳米管、部分覆盖每一纳米管的表面的Ru‑O‑X催化剂结构、以及用以覆盖Ru‑O‑X催化剂结构及每一纳米管的表面的保护层。X为Mo、Ti、Zr或Nb的金属元素。Ru‑O‑X催化剂结构包括形成于每一纳米管的表面上的含X材料的第一纳米颗粒及形成于第一纳米颗粒上的含Ru材料的第二纳米颗粒，从而形成催化剂或催化剂桥。光罩护膜有利地具有高EUV穿透率及对攻击颗粒(诸如氢颗粒)的改善的耐久性，从而具有延长的寿命。

公开(公告)号：CN117348330A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310558044.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  陈建诚 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/32

Abstract: 本申请公开了制造光掩模的方法。在一种制造衰减相移掩模的方法中，在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案。该掩模基板包括透明衬底、透明衬底上的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的相移材料层、相移材料层上的硬掩模层、以及硬掩模层上的中间层。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化中间层，通过使用经图案化的中间层作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，以及通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化相移材料层。中间层包括过渡金属、过渡金属合金或含硅材料中的至少一种，并且硬掩模层由与中间层不同的材料制成。

公开(公告)号：CN111948897B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202010806388.X

申请日：2015-03-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄道旻 ,  陈嘉仁 ,  李信昌 ,  石志聪 ,  游信胜 ,  陈政宏 ,  严涛南

IPC: G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。

公开(公告)号：CN115826345A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210816581.0

申请日：2022-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76

Abstract: 本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有第二碳溶解度的元素的材料。第一碳溶解度与第二碳溶解度不同。在一些实施例中，第一帽盖层的材料的元素和第二帽盖层的元素针对波长为13.5nm的EUV具有不同的消光系数。

公开(公告)号：CN115390357A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210010786.X

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  吕啟纶 ,  林秉勳 ,  朱福盛 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射型罩幕及其制造方法，反射型罩幕包括基板、设置于基板上方的下反射多层、设置于下反射多层上方的中间层、设置于中间层上方的上反射多层、设置于上反射多层上方的覆盖层、及设置于形成于上反射层中且在中间层上方的沟槽中的吸收层。中间层包括除了铬、钌、硅、硅化合物及碳以外的金属。

公开(公告)号：CN107783367B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201710508663.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  李信昌

IPC: G03F1/26

Abstract: 提供一种相位移光掩模，其包括透光基板、透光基板上的蚀刻停止层、以及蚀刻停止层上的可调的透光材料层。可调的透光材料层图案化以具有开口，其设计以提供相位移并具有大于90％的透光度。

公开(公告)号：CN115032861A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110901466.9

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌 ,  高蔡胜 ,  林进祥

IPC: G03F1/62

Abstract: 一种防护组件及形成倍缩光罩组件和增加防护薄膜寿命的方法，防护组件包括防护薄膜及在防护薄膜的外表面上的保形涂层。防护薄膜可由多个层形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。保形涂层旨在保护防护薄膜免受可能由于EUV曝光期间所产生的热量及氢电浆而发生的损坏。

公开(公告)号：CN108121169B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201710441632.5

申请日：2017-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢逸夫 ,  涂志强 ,  张宗裕 ,  李信昌

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 本发明实施例阐述一种在不使用光刻方法的情况下在远紫外线空白掩模的顶部层上或顶部层中形成对准标记的方法。举例来说，所述方法可包括通过以下方式在远紫外线空白掩模的顶部层上形成金属结构：在远紫外线掩模的顶部层上分配六羰基铬蒸气，并将六羰基铬蒸气暴露至电子束。使六羰基铬蒸气分解以在靠近六羰基铬蒸气与电子束相互作用之处的区域处形成金属结构。在另一实例中，所述方法可包括使用蚀刻器开孔及蚀刻工艺在远紫外线空白掩模的顶部层中形成图案化结构。

公开(公告)号：CN113267956A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN113253563A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110081395.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底，设置在衬底之上的反射多层，设置在反射多层之上的帽盖层，设置在帽盖层之上的中间层，设置在中间层之上的吸收体层，以及设置在吸收体层之上的覆盖层。中间层包括氢扩散率比帽盖层的材料更低的材料。