公开(公告)号：CN1529902A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN02809544.8

申请日：2002-05-07

Applicant: 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

Inventor： 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/308

CPC classification number: C30B25/18 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/3245 ,  H01L33/0062 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12 ,  Y10S438/902 ,  Y10S438/962

Abstract: 本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的，原来位错和/或富于缺陷的晶格失配层，产生相干无位错区域，而不包含在晶格失配层生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位错层的顶部原地形成一层帽层。该帽层最好有和下面衬底接近的晶格参数，而与在无应变状态下的晶格失配层的晶格参数不同。在这些条件下，该帽层在位错附近的区域受到弹性排斥，因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。在这些区域帽层不复存在。当帽层比起下面的晶格失配层有一个较低的热蒸发率时，晶格失配层包含位错的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发，而在衬底上只留下原先富于位错的晶格失配层的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中，在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30－1000nm范围，这依赖于退火条件，帽层的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。

公开(公告)号：CN1160801C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN96120525.3

申请日：1996-11-06

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01S5/343 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2202 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3206 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/3413 ,  H01S5/34333

Abstract: 一种具有氮化物半导体层结构的氮化物半导体器件。该层结构包括含铟氮化物半导体构成的量子阱结构的有源层(16)。提供具有比有源层(16)大的带隙能量的第一氮化物半导体层(101)，使之与有源层(16)接触。在第一层(101)之上提供具有比第一层(101)小的带隙能量的第二氮化物半导体层(102)。另外，在第二层(102)之上提供具有比第二层(102)大的带隙能量的第三氮化物半导体层(103)。

公开(公告)号：CN1508915A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN03153544.5

申请日：2003-08-15

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 山本将史 ,  樱井淳

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3432 ,  H01S2301/176

Abstract: 提供一种表面发射型半导体激光器及其制造方法，该表面发射型半导体激光器包括衬底、形成在衬底上并包括第一导电类型半导体层的第一反射镜、包括第二导电类型半导体层的第二反射镜、设置在第一反射镜和第二反射镜之间的有源区、设置在第一和第二反射镜之间并包括选择氧化区的电流限制层和无机绝缘膜。台面结构至少包括第二反射镜和电流限制层。无机绝缘膜至少覆盖台面结构的侧表面并具有等于或小于1.5×109达因/cm2的内应力。

公开(公告)号：CN1503415A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310118604.8

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江崎瑞仙 ,  西垣亨彦 ,  高冈圭児

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18313 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了一种表面发光型半导体激光器，通过设置从包含被氧化层(6a)的台面(100)的侧面使所述被氧化层进行氧化而形成的氧化区域(600)，在所述被氧化层的未被氧化部分使电流狭窄，其特征在于：在所述氧化区域和所述未被氧化部分的边界附近设置有包含质子的质子含有区域(15、16)。通过提高所选择的氧化中的氧化长度和电流狭窄(非氧化)区域的尺寸和形状的控制性能，能提高衬底面内的均匀性和再现性，抑制激光特性元件之间的误差，提高产量及其再现性。

公开(公告)号：CN1407333A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02126906.8

申请日：2002-07-25

Applicant: 皇家菲利浦电子有限公司

Inventor： E·P·A·克洛茨 ,  R·科佩

IPC: G01N23/04 ,  A61B6/03

CPC classification number: G21K1/025 ,  A61B6/037 ,  A61B6/4258 ,  H01S5/3201

Abstract: 发明涉及一种用于X射线装置的抗散射格栅以降低待检测物体内产生的散射辐射，该格栅包括多个吸收散射辐射的吸收叠层和对于X射线透明的通道介质，该通道介质布置于吸收叠层之间。特别地，为了简单和精密制造这种抗散射格栅该通道介质，并且使初级辐射尽可能少地衰减而散射辐射尽可能度多地被吸收，按照本发明，采用非弹性高电阻泡沫材料，特别是聚甲基丙烯酰二酰亚胺作为通道介质。本发明还涉及一种例如，用于单光子发射极或正电子发射极的准直器，其中非弹性高电阻泡沫材料还被用作层叠之间的通道介质。

公开(公告)号：CN1295365A

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN00129584.5

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置,具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷104的基板102和至少借助于来自上述凹陷104的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板102的上述表面上形成的半导体层103。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。

公开(公告)号：CN104737393B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201380052323.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 高山彻

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/173

Abstract: 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1‑x‑yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。

公开(公告)号：CN104737393A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380052323.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 高山彻

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/3407 ,  H01S2301/173

Abstract: 半导体发光元件包括：由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1-x-yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。

公开(公告)号：CN104734010A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410766462.4

申请日：2014-12-11

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 西田哲朗 ,  望月理光

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明涉及面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器包括基板；以及层叠体，其设置在上述基板的上方，上述层叠体包括第1反射镜层、活性层、第2反射镜层、以及电流狭窄层，俯视时，上述层叠体具有：第1形变赋予部；第2形变赋予部；以及共振部，其设置在上述第1形变赋予部与述第2形变赋予部之间，且使由上述活性层产生的光共振，在上述俯视时，上述电流狭窄层的开口部具有设有长边方向的形状，上述电流狭窄层的上述开口部的长边方向与上述第1形变赋予部以及上述第2形变赋予部从上述共振部延伸的方向平行。

公开(公告)号：CN104734007A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410756929.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 竹中敏 ,  仓知祐司 ,  小野昭次

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: H01S5/423 ,  G04F5/145 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0623 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18338 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/1835 ,  H01S5/18352 ,  H01S5/18355 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/3201 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明提供面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器包括：层叠体、设置于上述层叠体的至少一部分的上方的绝缘层、至少一部分设置于上述层叠体上方的电极、焊盘、以及将上述电极与上述焊盘电连接的配线，上述层叠体包括第一反射镜层、活性层以及第二反射镜层，在俯视观察下，上述层叠体具有第一变形施加部、第二变形施加部以及设置于上述第一变形施加部与上述第二变形施加部之间的共振部，在俯视观察下，上述电极设置为覆盖上述共振部的至少一部分，在俯视观察下，上述配线的宽度比上述第一变形施加部的宽度宽，且比上述电极的宽度窄。