公开(公告)号：CN1201081A

公开(公告)日：1998-12-09

申请号：CN98106206.7

申请日：1998-04-03

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明提供一种制备平坦性、结晶性优异的氮化镓厚膜晶体的方法。该方法包括在含镓的气氛中加热硅基板1的第一工序、在上述硅基板1上形成第一氮化镓3的第二工序和在上述第一氮化镓3的上面于比上述第一氮化镓3的形成温度高的温度形成第二氮化镓4的第三工序。

公开(公告)号：CN1295365A

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN00129584.5

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置,具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷104的基板102和至少借助于来自上述凹陷104的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板102的上述表面上形成的半导体层103。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。

公开(公告)号：CN1203285A

公开(公告)日：1998-12-30

申请号：CN98106378.0

申请日：1998-04-09

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2,然后,在该二氧化硅薄膜2上,形成单晶硅薄膜3,再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。

公开(公告)号：CN1177655A

公开(公告)日：1998-04-01

申请号：CN97117796.1

申请日：1997-08-27

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658

Abstract: 为降低氮化镓晶体内的位错密度和可以进行解理,在硅衬底上形成碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体之后,只将硅衬底在诸如氢氟酸和硝酸之类混合的酸溶液中除去。接着,在留下来不除去的碳化硅薄膜和第一氮化镓晶体上形成第二氮化镓晶体。

公开(公告)号：CN1234639A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99105847.X

申请日：1999-04-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 河内泰之 ,  中西秀行 ,  油利正昭 ,  吉川昭男 ,  石黑永孝

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01S5/02248 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体激光装置,包括具有阳极和阴极的半导体激光器片及场效应晶体管。半导体激光器片的阳极连接场效应晶体管的漏极。场效应晶体管的栅极连接场效应晶体管的漏极。半导体激光器片的阴极连接场效应晶体管的源极。

公开(公告)号：CN1207575A

公开(公告)日：1999-02-10

申请号：CN98116669.5

申请日：1998-07-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 油利正昭 ,  上田哲三 ,  马场孝明

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: 目的是在立方晶体Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体衬底上边,形成表面平坦性和结晶性良好的立方晶体氮化物半导体晶体。其构成是:具有含铝的立方晶体半导体层,在氮化合物气氛中加热该半导体层2,使半导体层的一个表面氮化,之后,采用向上述半导体层上供给氮化合物和含Ⅲ族元素的化合物的办法,在上述半导体层2上形成立方体氮化物半导体层3。