公开(公告)号：CN104862660A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201410061908.3

申请日：2014-02-24

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 郭浩 ,  陈鹏 ,  侯珏

IPC分类号： C23C14/50

CPC分类号： H01J37/32715 ,  C23C14/22 ,  C23C14/50 ,  C23C16/50 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

摘要： 本发明提供的承载装置及等离子体加工设备，其包括基座、基座驱动机构、压环和挡环，基座用于承载被加工工件；基座驱动机构用于驱动基座上升至工艺位置或下降至卸载位置；压环用于在基座位于工艺位置时压紧置于基座上的被加工工件的边缘区域；挡环环绕在基座的外周壁上，且位于压环的下方；压环与挡环彼此相对的表面包括一对导向环面，其相对于基座竖直方向上的中心线向外倾斜相同角度；并且，在基座驱动机构驱动基座上升的过程中，该对导向环面彼此接触且交错移动，以实现压环与基座的定位。本发明提供的承载装置，其可以直接实现压环与基座的定位，从而不仅可以提高定位的准确度、简化工作流程，而且还可以简化设备结构、降低制造成本。

公开(公告)号：CN104752274A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410431336.3

申请日：2014-08-28

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 吕峰 ,  张风港 ,  赵梦欣 ,  丁培军

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01J37/32642 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/34 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3411 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67739

摘要： 本发明提供的工艺腔室以及半导体加工设备，其包括反应舱、进气系统和晶片传输装置，其中，反应舱设置在工艺腔室内，用以对晶片进行工艺；进气系统用于向反应舱提供工艺气体；晶片传输装置用于将晶片传输至反应舱内，在反应舱内设置有衬环组件，衬环组件的结构被设置为在其与反应舱的内侧壁之间形成匀流腔，用以将来自进气系统的工艺气体通过所述匀流腔均匀地输送至反应舱内。本发明提供的工艺腔室，其可以提高工艺气体进入反应舱的速度、控制参与工艺过程的工艺气体的流量的准确度，以及工艺气体在反应舱内的分布均匀性。

公开(公告)号：CN104733276A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201310707894.3

申请日：2013-12-20

申请人： 昆山国显光电有限公司

发明人： 徐岩

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32807 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明公开了一种刻蚀机的窗口遮挡装置，属于半导体及平板显示行业刻蚀技术领域。其包括安装于刻蚀机箱体（5）内壁上，并位于窗口（1）前侧的透明遮挡物（2），所述透明遮挡物（2）为耐腐蚀件。该刻蚀机的窗口遮挡装置避免了刻蚀过程中等离子体对刻蚀终点侦测器窗口或刻蚀机上其他窗口的损伤，同时不影响光强收集，有效降低了生产成本，特别适用于干刻蚀生产设备。

公开(公告)号：CN104508174A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380039732.5

申请日：2013-07-25

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 卢多维克·葛特 ,  阿德金·沙拉积历

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

摘要： 揭示一种等离子体处理设备(200)。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。

公开(公告)号：CN102395704B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080017095.8

申请日：2010-02-12

申请人： 盖利姆企业私人有限公司

发明人： 盖·詹姆斯·雷诺兹 ,  康纳·尼古拉斯·马丁 ,  彼得·格洛瓦茨基 ,  玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯 ,  萨蒂亚纳拉扬·巴利克 ,  帕特里克·坡-曾·陈

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/452 ,  H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/303 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/105 ,  C30B25/165 ,  C30B29/403 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0262 ,  Y10T137/8593

摘要： 一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器进入反应室的通过的等离子体入口，和具有有一个或多个供氮等离子体通过的流动通道的挡板。挡板位于等离子体的入口和基片之间，并且防止等离子体入口和基片之间的氮等离子体的直线通过。

公开(公告)号：CN102124136B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN200980100663.8

申请日：2009-08-24

申请人： 新柯隆株式会社

发明人： 盐野一郎 ,  长江亦周 ,  姜友松 ,  菅原卓哉

IPC分类号： C23C14/02 ,  C03C17/42

CPC分类号： C23C14/022 ,  C03C17/42 ,  C03C19/00 ,  C03C2217/77 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/505 ,  C23C14/568 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32761 ,  H01J37/34

摘要： 本发明的成膜方法具有：对基板(101)的表面照射具有能量的粒子的第一照射工序；使用干式法在所述第一照射工序后的基板(101)的表面成膜第一膜(103)的第一成膜工序；在第一膜(103)的表面成膜具有防油性的第二膜(105)的第二成膜工序。根据该发明，能够提供可以制造具有防油性膜的防油性基材的成膜方法，其中的防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。

公开(公告)号：CN103069560A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180036999.X

申请日：2011-07-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 戴维·帕拉加什维里 ,  迈克尔·D·威尔沃思 ,  刘靖宝

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  Y10T137/85938

摘要： 在此提供用于在工艺腔室中控制气体流动的设备。在一些实施例中，一种设备用于在工艺腔室中控制气体流动，所述工艺腔室具有在所述工艺腔室内的处理空间与在所述工艺腔室内的泵送空间（pumping volume），所述处理空间配置在基板支撑件上方，所述泵送空间配置在所述基板支撑件下方，所述设备可包括：环状板，所述环状板环绕所述基板支撑件，位于所述基板支撑件的基板支撑表面的水平面（level）附近，其中所述环状板朝所述工艺腔室的内周边表面径向向外延伸，而界定出所述环状板的外边缘与所述内周边表面之间的均匀间隙，其中所述均匀间隙提供从所述处理空间到所述泵送空间的均匀流径。

公开(公告)号：CN102017095B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200980110152.4

申请日：2009-03-20

申请人： 圆益IPS股份有限公司

发明人： 曹生贤 ,  池东俊

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32633 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642

摘要： 本发明涉及真空处理装置，具体涉及对用于LCD控制板的玻璃等基板进行所相关的蚀刻、蒸发等真空处理的真空处理装置。本发明所提供的真空处理装置包括：在真空腔体的内表面中至少一部分上可拆卸地紧密连接的、表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的遮盖部件，和/或为了屏蔽所述基板支持台的侧面以及所述真空腔体的内表面之间的空间、可拆卸地设置的、表面上形成有包括W、Ni、W-N、Cr及Mo中任一的涂层的屏蔽部件。

公开(公告)号：CN101422088B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200580047552.7

申请日：2005-12-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 什里坎特·P·洛霍卡雷 ,  安德鲁·D·贝利三世

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05K9/00 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01J37/32633 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明公开了一种在等离子体处理系统中用于减少等离子体处理室的一组等离子体室表面上的副产品沉积的方法。该方法包括：在等离子体处理室中设置沉积屏障，该沉积屏障被配置为置于等离子体处理室的等离子体生成区中，从而使得等离子体在等离子体处理室内被撞击时所生成的至少一些工艺副产品能粘附在该沉积屏障上，并减少了一组等离子体处理室表面上的副产品沉积。

公开(公告)号：CN101627454B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880002319.0

申请日：2008-01-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 理查德·J·赫尔特 ,  李祐家 ,  菲利浦·J·麦桂尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  哈勒德·M·波辛 ,  维克拉姆·辛

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32495 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32633

摘要： 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。