公开(公告)号：CN101627454B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880002319.0

申请日：2008-01-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 理查德·J·赫尔特 ,  李祐家 ,  菲利浦·J·麦桂尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  哈勒德·M·波辛 ,  维克拉姆·辛

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32495 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32633

摘要： 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。

公开(公告)号：CN101627454A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200880002319.0

申请日：2008-01-15

申请人： 瓦里安半导体设备公司

发明人： 理查德·J·赫尔特 ,  李祐家 ,  菲利浦·J·麦桂尔 ,  提摩太·J·米勒 ,  哈勒德·M·波辛 ,  维克拉姆·辛

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32495 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32633

摘要： 提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。