发明公开
CN101627454A 具有减少金属污染的衬套的等离子源
失效 - 权利终止
- 专利标题: 具有减少金属污染的衬套的等离子源
- 专利标题(英): Plasma source with liner for reducing metal contamination
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申请号: CN200880002319.0申请日: 2008-01-15
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公开(公告)号: CN101627454A公开(公告)日: 2010-01-13
- 发明人: 理查德·J·赫尔特 , 李祐家 , 菲利浦·J·麦桂尔 , 提摩太·J·米勒 , 哈勒德·M·波辛 , 维克拉姆·辛
- 申请人: 瓦里安半导体设备公司
- 申请人地址: 美国麻萨诸塞州
- 专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人: 瓦里安半导体设备公司
- 当前专利权人地址: 美国麻萨诸塞州
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 11/623,739 2007.01.16 US
- 国际申请: PCT/US2008/051068 2008.01.15
- 国际公布: WO2008/089178 EN 2008.07.24
- 进入国家日期: 2009-07-15
- 主分类号: H01J37/32
- IPC分类号: H01J37/32
摘要:
提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100),此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体,从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部,并提供等离子腔室内部的位点线遮蔽,以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102)而溅镀的金属。
公开/授权文献
- CN101627454B 具有减少金属污染的衬套的等离子源 公开/授权日:2012-01-11