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公开(公告)号：CN102725435A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180004548.8
申请日：2011-08-30
IPC分类号： C23C14/35 , C03C17/245 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/351 , C23C14/35 , H01F7/081 , H01J25/50 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461
摘要： 本发明提供一种提高靶材的利用率的磁场产生装置(10)。其配置于靶材(8)的背面并在靶材(8)的表面(8a)根据磁力线(11)产生磁场，其包括：将极轴保持在与靶材(8)的面平行的方向(X方向)上的外周磁体(144)；配置于外周磁体(144)内侧并将极轴保持在与外周磁体(144)的极轴的方向平行的方向(X方向)上的中心磁体(142)；从背面支承外周磁体(144)及中心磁体(142)的轭板(12)；改变靶材(8)的表面(8a)的磁场分布的导磁板(16)。导磁板(16)配置于外周磁体(144)及中心磁体(142)之间。另外导磁板(16)配置为由轭板(12)从背面支承。
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公开(公告)号：CN103038387B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180019967.9
申请日：2011-08-02
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0078 , C23C14/0635 , C23C14/3464 , C23C14/5826 , G02B1/10
摘要： 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法能够以短时间、且安全地提供透过率和膜强度高、可用于光学用途的碳化硅薄膜，并且即使对于耐热性低的基板也能够有效地形成该薄膜。本发明的方法使用成膜装置(1)在移动中的基板(S)上形成碳化硅的薄膜，该成膜装置(1)构成为在真空容器(11)内将反应工序区域(60)和成膜工序区域(20、40)各自在空间上分离配置，并能够独立地控制各区域(20、40、60)的处理。首先，在惰性气体的气体氛围下，在区域(20)对硅靶材(29a、29b)进行溅射，并且在区域40对碳靶材(49a、49b)进行溅射。由此，在基板(S)上形成含有硅和碳的中间薄膜。接着，在区域(60)使中间薄膜暴露在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜。此后，对超薄膜反复进行中间薄膜的形成和向超薄膜的膜变换。
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公开(公告)号：CN102084025B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200980100652.X
申请日：2009-08-24
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C16/56 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C03C2217/77 , C03C2218/32 , C09D1/00 , C09D5/00 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C14/12 , C23C14/22 , C23C14/221 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/5833 , Y10T428/265
摘要： 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法具有：在基板(101)的表面成膜硬度比基板(101)的硬度高的第一膜(103)的第一成膜工序；对第一膜(103)照射具有能量的粒子的第一照射工序；在第一照射工序后的第一膜(103)的表面成膜防油性膜(105)的第二成膜工序。根据该发明提供的成膜方法，能够制造具有防油性膜的防油性基材，该防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
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公开(公告)号：CN102124136B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200980100663.8
申请日：2009-08-24
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C14/022 , C03C17/42 , C03C19/00 , C03C2217/77 , C23C14/0078 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/568 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32513 , H01J37/32633 , H01J37/32761 , H01J37/34
摘要： 本发明的成膜方法具有：对基板(101)的表面照射具有能量的粒子的第一照射工序；使用干式法在所述第一照射工序后的基板(101)的表面成膜第一膜(103)的第一成膜工序；在第一膜(103)的表面成膜具有防油性的第二膜(105)的第二成膜工序。根据该发明，能够提供可以制造具有防油性膜的防油性基材的成膜方法，其中的防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
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公开(公告)号：CN103038387A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180019967.9
申请日：2011-08-02
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/0078 , C23C14/0635 , C23C14/3464 , C23C14/5826 , G02B1/10
摘要： 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法能够以短时间、且安全地提供透过率和膜强度高、可用于光学用途的碳化硅薄膜，并且即使对于耐热性低的基板也能够有效地形成该薄膜。本发明的方法使用成膜装置(1)在移动中的基板(S)上形成碳化硅的薄膜，该成膜装置(1)构成为在真空容器(11)内将反应工序区域(60)和成膜工序区域(20、40)各自在空间上分离配置，并能够独立地控制各区域(20、40、60)的处理。首先，在惰性气体的气体氛围下，在区域(20)对硅靶材(29a、29b)进行溅射，并且在区域40对碳靶材(49a、49b)进行溅射。由此，在基板(S)上形成含有硅和碳的中间薄膜。接着，在区域(60)使中间薄膜暴露在惰性气体和氢的混合气体的气体氛围下产生的等离子中，使该中间薄膜变换为超薄膜。此后，对超薄膜反复进行中间薄膜的形成和向超薄膜的膜变换。
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公开(公告)号：CN102725435B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201180004548.8
申请日：2011-08-30
IPC分类号： C23C14/35 , C03C17/245 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/351 , C23C14/35 , H01F7/081 , H01J25/50 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461
摘要： 本发明提供一种提高靶材的利用率的磁场产生装置(10)。其配置于靶材(8)的背面并在靶材(8)的表面(8a)根据磁力线(11)产生磁场，其包括：将极轴保持在与靶材(8)的面平行的方向(X方向)上的外周磁体(144)；配置于外周磁体(144)内侧并将极轴保持在与外周磁体(144)的极轴的方向平行的方向(X方向)上的中心磁体(142)；从背面支承外周磁体(144)及中心磁体(142)的轭板(12)；改变靶材(8)的表面(8a)的磁场分布的导磁板(16)。导磁板(16)配置于外周磁体(144)及中心磁体(142)之间。另外导磁板(16)配置为由轭板(12)从背面支承。
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公开(公告)号：CN102124136A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200980100663.8
申请日：2009-08-24
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C14/022 , C03C17/42 , C03C19/00 , C03C2217/77 , C23C14/0078 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/568 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32513 , H01J37/32633 , H01J37/32761 , H01J37/34
摘要： 本发明的成膜方法具有：对基板(101)的表面照射具有能量的粒子的第一照射工序；使用干式法在所述第一照射工序后的基板(101)的表面成膜第一膜(103)的第一成膜工序；在第一膜(103)的表面成膜具有防油性的第二膜(105)的第二成膜工序。根据该发明，能够提供可以制造具有防油性膜的防油性基材的成膜方法，其中的防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
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公开(公告)号：CN102084025A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980100652.X
申请日：2009-08-24
申请人： 新柯隆株式会社
CPC分类号： C23C16/56 , C03C17/42 , C03C2217/76 , C03C2217/77 , C03C2218/32 , C09D1/00 , C09D5/00 , C23C14/0652 , C23C14/08 , C23C14/12 , C23C14/22 , C23C14/221 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/5833 , Y10T428/265
摘要： 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法具有：在基板(101)的表面成膜硬度比基板(101)的硬度高的第一膜(103)的第一成膜工序；对第一膜(103)照射具有能量的粒子的第一照射工序；在第一照射工序后的第一膜(103)的表面成膜防油性膜(105)的第二成膜工序。根据该发明提供的成膜方法，能够制造具有防油性膜的防油性基材，该防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
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