公开(公告)号：CN104821284A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510045475.7

申请日：2015-01-29

申请人： FEI公司

发明人： A.巴克斯鲍姆 ,  M.施密特

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N1/28

CPC分类号： H01L22/14 ,  B26D3/282 ,  B28D5/04 ,  G01N1/286 ,  G01N2001/2873 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/7065 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/1967

摘要： 提供了一种方法和设备，用于在表面层剥离中使用以进行样品工件的错误隔离和缺陷局部化。更具体地，提供了一种方法和设备，用于以快速、受控和准确的方式从样品机械地剥除一个或多个层。可编程致动器包括具有切割边缘的层剥离探针尖端，该切割边缘被定形为快速和准确地从样品剥除材料层。层剥离探针尖端的切割面被配置使得每个剥除步骤剥除具有线性尺度的材料区域，该线性尺度基本上等于层剥离探针尖端切割面的线性尺度。表面层剥离可以在真空腔室内部发生以使得样品的目标区域可以在原位利用FIB/SEM成像来观测。

公开(公告)号：CN104303264A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380024955.4

申请日：2013-03-13

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 科恩·德韦尔 ,  塞德里克·卡雷特

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/068 ,  G03F7/7065 ,  G05B23/0216 ,  G05B23/0229 ,  G05B2219/37224 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

摘要： 本发明揭示一种用于半导体装置的自动化检验的检验配方产生的方法、计算机系统及设备。为产生所述检验配方，使用参考数据集。借助初始配方对所述参考数据集(参考晶片图)的裸片的图像执行自动检验。将来自所述自动检验的所检测检验结果分类，且将所述经分类检验结果与裸片中的缺陷的专家分类进行比较。自动产生过杀及漏杀数目。根据所述过杀及漏杀数目，修改检验配方参数。如果所述检测及/或所述分类低于预定义阈值，那么重复自动检验。

公开(公告)号：CN104246972A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380018790.X

申请日：2013-02-14

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 卡尔·赫斯 ,  石瑞芳 ,  托马斯·瓦武尔

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F1/44

CPC分类号： G01N21/95 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/95676 ,  G03F1/84 ,  G03F7/705 ,  G03F7/7065

摘要： 本发明揭示用于检验光学光刻光罩的方法及设备。界定光罩的多个片块区。在于任何光学光刻过程中使用光罩之前，在第一检验期间使用光学光罩检验工具来针对多组一或多个片块区中的每一组获得对应于从所述光罩的每一片块区的多个子区测量的光的多个参考强度值的参考平均值。在于多个光学光刻过程中使用所述光罩之后，在第二检验期间使用所述光学光罩检验工具来针对所述组一或多个片块区中的每一组获得对应于从所述光罩的每一片块区的所述多个子区测量的光的多个测试强度值的平均值。针对所述第一检验及所述第二检验两者使用所述光学光罩检验工具的同一设置配方。产生差强度图，且此图包括各自对应于所述组一或多个片块中的每一组的所述测试强度值的每一平均值与所述参考强度值的平均值之间的差的多个图值。所述差强度图指示所述光罩是否已随着时间降级超过预定义水平。

公开(公告)号：CN102484084B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080033733.5

申请日：2010-07-12

申请人： 克拉-坦科股份有限公司

发明人： 艾伦·帕克 ,  埃利斯·常 ,  青木正身 ,  克里斯·C-C·杨 ,  马丁·普利哈尔 ,  迈克尔·约翰·范里特

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/7065

摘要： 描述了使用设计和缺陷数据来匹配多个扫描仪的系统以及方法。使用金工具来处理金晶片。使用第二工具来处理第二晶片。两种工具提供聚焦/曝光调制。可比较两个晶片的临界结构的晶片级空间签名以评价扫描仪的行为。通过面元划分金晶片上具有类似图案的缺陷来标识临界结构。在一个实施例中，签名必须在特定百分比内匹配，否则第二工具被表征为“不匹配”。分划板可以类似的方式比较，其中分别使用金分划板和第二分划板来处理金晶片和第二晶片。

公开(公告)号：CN102498441A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080034105.9

申请日：2010-07-27

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： H·克拉莫 ,  A·邓鲍夫 ,  H·麦根斯 ,  H·斯米尔德 ,  A·斯盖勒肯斯 ,  M·库比斯

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065

摘要： 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。

公开(公告)号：CN102472961A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029069.7

申请日：2010-07-16

申请人： ASML控股股份有限公司

发明人： E·凯蒂 ,  R·哈内德 ,  Y·施玛埃夫 ,  R·萨拉尔德森 ,  R·雅克布

IPC分类号： G03F1/84

CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F7/7065

摘要： 公开的是用于时间差分掩模版检查的系统和方法。污染物例如通过确定所述掩模版的至少一部分的第一识别标识与所述掩模版的所述部分的在所述第一识别标识之后产生的第二识别标识之间的差别而被确定。

公开(公告)号：CN100367454C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200610000438.5

申请日：2006-01-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林进祥 ,  林本坚 ,  高蔡胜

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/308 ,  H01L21/66

CPC分类号： G03F7/7065 ,  G03F7/70383 ,  H01L22/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明是有关于一种使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统。该修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具；在半导体晶圆上形成一光阻层；使用一能量光束，在缺陷区域中局部地曝光光阻层；显影半导体晶圆上的光阻层；以及在曝光与显影后，处理光阻层下方的半导体晶圆。该修复晶圆的系统，至少包括：一检查工具，可在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；一直接写入工具，可局部地曝光该半导体晶圆；以及一资讯处理模组，用以在该检查工具与该直接写入工具之间，联系与传输该些缺陷区域的该些位置与图案。

公开(公告)号：CN101010637A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029284.6

申请日：2005-08-26

申请人： 东丽株式会社

发明人： 内田哲夫 ,  辻喜亨 ,  井口雄一朗 ,  岩岛实

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01J11/02 ,  H01J9/02 ,  H01J9/24

CPC分类号： G03F7/2022 ,  G03F7/70425 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/7065 ,  G03F7/70791 ,  H01J9/242 ,  H01J11/12 ,  H01J11/36

摘要： 本发明提供一种等离子体显示器用部件的制造方法，即使在光掩模上附着有异物或者有伤痕时，也可以抑制在曝光、显影后所得到的图案的断线或短路等缺陷的产生、并且可以提高成品率。本发明还提供一种显示器用部件的曝光方法，是借助于具有期望图案的光掩模、对在基板上形成了感光层的显示器用部件进行曝光动作的显示器用部件的曝光方法，其特征在于，在曝光动作中使光掩模与基板相对移动。

公开(公告)号：CN1916603A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200510091733.1

申请日：2005-08-15

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： A·J·登博夫 ,  A·J·布里克 ,  Y·J·L·M·范多梅伦 ,  M·杜萨 ,  A·G·M·基尔斯 ,  P·F·鲁尔曼恩 ,  H·P·M·佩勒曼斯 ,  M·范德沙尔 ,  C·D·格劳斯特拉 ,  M·G·M·范克拉亚

IPC分类号： G01N21/49 ,  G01N22/00 ,  H01L21/66 ,  G03F7/00

CPC分类号： G01N21/8806 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065 ,  G03F9/7034

摘要： 一种通过在一高数值孔径透镜的光瞳面中测量一角分解光谱从而确定基底特性的设备与方法，所述角分解光谱是由反射离开所述基底的辐射形成的。所述特性可依角度和波长而变化，并可包括横向磁和横向电偏振光的强度及其相对相位差。

公开(公告)号：CN1290166C

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN01818994.6

申请日：2001-09-04

申请人： HPL技术公司

发明人： D·穆拉迪安 ,  A·萨加特利安

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G01N21/95607 ,  G03F7/7065 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用于确定坐标系统的原点之间的偏移的第一方法，用于对其上排列集成电路的晶片检查至少两个不同的缺陷检查，包括：建立包含集成电路晶片的至少两个检查层上排列的缺陷的位置数据的数据库；确定层间缺陷的最大偏移；确定层内缺陷的最小间距；对间距大于最小间距的全部缺陷，从数据库搜索包含偏移小于最大偏移的层间缺陷对；计算每个层间缺陷对的实际偏移；确定实际偏移是否是随机分布；如果它们不是随机分布，识别实际偏移的密集区；并得到至少两层的原点之间的偏移估计和对所述实际偏移的估计的置信值。第二种方法包括：从数据库识别至少一个有缺陷数nd的芯片，其中0≤nd≤k，此处k是小于或等于5的整数；在至少一个芯片上识别全部层间缺陷对；计算每个层间缺陷对的实际偏移，以代替确定层间缺陷的最大偏移和代替确定层内缺陷的最小间距。