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公开(公告)号：CN107010592A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610836383.5
申请日：2016-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00182 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81B7/02 , B81B2201/00 , B81C1/00134
Abstract: 本发明的实施例提供了一种CMOS MEMS器件。该CMOS MEMS器件包括第一衬底、第二衬底、第一多晶硅以及第二多晶硅。第二衬底包括可移动部分，并且位于第一衬底上方。第一多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第一侧邻近。第二多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第二侧邻近。本发明的实施例还提供了一种制造CMOS‑MEMS器件结构的方法。
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公开(公告)号：CN105452154B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380011510.2
申请日：2013-02-27
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01L21/82 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , G02B26/0833 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 装置和用于形成所述装置的方法，所述装置包括：第一玻璃材料层；和通过粘结材料与所述第一玻璃材料层粘结的第二材料层，其中所述粘结材料是由玻璃玻璃料材料、陶瓷玻璃料材料、玻璃陶瓷玻璃料材料和金属糊料中的一种形成的，所述粘结材料经熔融和固化。
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公开(公告)号：CN104144745B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280067649.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 康宁股份有限公司
Inventor： T·L·A·达努克斯 , S·M·F·格瑞梅茨 , O·洛贝特 , R·唐古
CPC classification number: B01J19/32 , B01J19/0093 , B01J2219/00786 , B01J2219/00806 , B01J2219/00808 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/32213 , B01J2219/32275 , B01J2219/32425 , B01J2219/32441 , B01J2219/328 , B23P19/10 , B81B2201/058 , B81C3/001 , B81C2201/019 , C03B23/245 , C03C3/091 , C03C27/00 , Y10T29/49904
Abstract: 本发明提供一种流体模块的组装堆叠件，包括组装成堆叠构造的至少第一和第二流体模块。第一流体模块具有第一和第二主平坦表面并封围第一流体通道，第一流体通道从第一通道入口向第一通道出口延伸穿过其中，第一通道出口位于第一流体模块的第二主平坦表面上。第二流体模块也具有第一和第二主平坦表面并封围第二流体通道，第二流体通道从第二通道入口向第二通道出口延伸穿过其中，第二通道入口位于第二流体模块的第一主平坦表面上。第一流体模块的第二主平坦表面与第二流体模块的第一主平坦表面间隔开并通过融合于其间的至少三个分开的玻璃或玻璃-陶瓷垫结合在一起，且至少三个垫包括没有通孔的至少一个垫和具有通孔的至少一个垫，通孔形成第一流体通道与第二流体通道之间的密封流体互连。还公开了一种形成组装堆叠件的方法。
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公开(公告)号：CN104066676B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280052704.2
申请日：2012-10-26
Applicant: 大陆汽车系统公司
IPC: H01L23/08
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , G01L19/147 , H01L2224/29188 , H01L2924/10155
Abstract: 一种半导体芯片通过玻璃烧料层被附接到衬底。可能在烧制玻璃烧料期间被困在所述芯片和所述玻璃烧料层之间的气体可以逃逸穿过由形貌形成靠着所述芯片的底部表面的通道，所述形貌延伸远离并基本上正交于所述芯片的底部。
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公开(公告)号：CN102782324B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201080051330.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
CPC classification number: F04B43/046 , A61M5/14586 , B81B2201/036 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0167 , B81C2201/019 , F04B43/02 , F04B43/043 , F05C2203/02 , F05C2203/06 , Y10T29/494
Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102803126B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080057898.6
申请日：2010-12-17
Applicant: 艾罗克林有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00293 , B01L3/502707 , B01L2300/042 , B81B2201/058 , B81B2203/0315 , B81C2201/019 , B81C2203/0145 , Y10T29/49117 , Y10T29/49151 , Y10T29/49153 , Y10T29/49826 , Y10T29/49885
Abstract: 一种用于将塞子至少部分地插入孔中的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供具有至少一个孔的至少一个基体，其中所述至少一个孔的最大尺寸为1μm到300μm，b)提供材料块，其中所述材料块的尺寸大于所述至少一个孔，c)用工具将所述材料块压向所述孔，以形成塞子，其中所述材料块的至少一部分被压入所述孔，d)从所述材料块移去所述工具。本发明还公开了用所述方法制造的填塞的孔。一种实施方式的一个优点是可应用工业上可获得的引线接合技术来密封不同的腔室。现有的引线接合技术使得填塞快速而廉价。
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公开(公告)号：CN105452154A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380011510.2
申请日：2013-02-27
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01L21/82 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , G02B26/0833 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 装置和用于形成所述装置的方法，所述装置包括：第一玻璃材料层；和通过粘结材料与所述第一玻璃材料层粘结的第二材料层，其中所述粘结材料是由玻璃玻璃料材料、陶瓷玻璃料材料、玻璃陶瓷玻璃料材料和金属糊料中的一种形成的，所述粘结材料经熔融和固化。
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公开(公告)号：CN102762491B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180007136.X
申请日：2011-01-28
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00119 , B01J19/0093 , B01J2219/00783 , B01J2219/00824 , B01J2219/00831 , B01J2219/0086 , B01J2219/00873 , B81B2201/058 , B81C2201/019
Abstract: 由玻璃、陶瓷或微晶玻璃制成的微流体装置（100）包括上层（122）、下层（124）和中间层（114），中间层（114）包括上表面（114b）和下表面（114a），下表面（114a）包括限定第一微流体通道（126）的第一敞开结构表面，上表面（114b）包括限定第二微流体通道（112）的第二敞开结构表面；中间层（114）的下表面与封闭第一微通道（126）的第一平板层协配；中间层（114）的上表面（114b）与第二平板层（130）协配，第二平板层（130）以密封方式封闭第二微流体通道（112），第二平板层构成中间层（130），中间层（130）在其与中间层（114）相反的表面上与另一层（122）协配，另一层（122）在其内表面（122a）上包括限定第三微流体通道（128）的结构表面。
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公开(公告)号：CN102556939B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110462085.1
申请日：2011-11-23
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B7/0032 , B81B7/0038 , B81B7/0074 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81C2201/019 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。
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公开(公告)号：CN103221332B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180055794.6
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种微机电装置，包括：孔晶圆，其包括主体部分和伸长臂，伸长臂具有第一部分和第二部分，第一部分远离孔晶圆的主体部分进行延伸，第二部分围绕孔晶圆的主体部分进行延伸，并且第二部分通过间隙与孔晶圆的主体部分隔离；以及微机电层，其包括振荡部分，微机电层结合到孔晶圆的主体部分；专用集成电路ASIC，其具有第一表面和第二表面，第一表面使用第一电气互连点耦合到孔晶圆的伸长臂，第二表面与第一表面相对，第二表面具有集中位于第二表面上的第二电气互连点，以将ASIC耦合到衬底；其中，第二电气互连点的位置和伸长臂被配置成使得微机电层免受变形和应力的影响。
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