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公开(公告)号：CN103221331B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180055792.7
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
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公开(公告)号：CN103209922A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180053926.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , H01G7/06
Abstract: 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
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公开(公告)号：CN103209922B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201180053926.1
申请日：2011-09-20
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0086 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , H01G7/06
Abstract: 本文涉及用于微机电系统(MEMS)传感器的器件层的装置和方法，所述MEMS传感器具有通孔，所述通孔具有减小的并联电容。在一个实例中，器件层可包括衬底，该衬底具有在水平方向上被所述衬底的一部分分隔开的一对沟槽，其中，该对沟槽中的每个沟槽包括包含电介质的第一垂直层和第二垂直层，所述第一垂直层和第二垂直层被包含多晶硅的第三垂直层分隔开。
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公开(公告)号：CN103221333A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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公开(公告)号：CN103221331A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055792.7
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层耦合到所述集成电路的所述主体部分，其中，所述微机电层包括盖帽，所述盖帽包括延伸到所述集成电路的膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103221332B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180055794.6
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种微机电装置，包括：孔晶圆，其包括主体部分和伸长臂，伸长臂具有第一部分和第二部分，第一部分远离孔晶圆的主体部分进行延伸，第二部分围绕孔晶圆的主体部分进行延伸，并且第二部分通过间隙与孔晶圆的主体部分隔离；以及微机电层，其包括振荡部分，微机电层结合到孔晶圆的主体部分；专用集成电路ASIC，其具有第一表面和第二表面，第一表面使用第一电气互连点耦合到孔晶圆的伸长臂，第二表面与第一表面相对，第二表面具有集中位于第二表面上的第二电气互连点，以将ASIC耦合到衬底；其中，第二电气互连点的位置和伸长臂被配置成使得微机电层免受变形和应力的影响。
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公开(公告)号：CN103403495A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180044919.5
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： C·阿卡 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯
IPC: G01C19/5712
CPC classification number: B81C1/00523 , G01C19/56 , G01C19/5712
Abstract: 一个实例包括用于对动作进行感应的微机电芯片，包括：固定部分；连接到所述固定部分的锚；在所述锚的一侧连接到所述锚的第一非线性悬吊构件；在所述锚的所述一侧连接到所述锚的第二非线性悬吊构件，所述第二非线性悬吊构件具有与所述第一非线性悬吊构件关于锚二等分面成镜像关系的形状和位置；以及平面形的质量块，所述质量块至少部分地由所述第一非线性悬吊构件和所述第二非线性悬吊构件悬吊，从而所述质量块能够围绕所述锚旋转并能够在平行于所述固定部分的平面中滑动。
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公开(公告)号：CN103221332A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055794.6
申请日：2011-09-18
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0072 , B81B7/0016 , B81B7/0051 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/0785 , H01L29/84 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一个示例包括：集成电路，其包括至少一个电气互连点，所述至少一个电气互连点布置在远离所述集成电路的主体部分延伸的细长臂上；以及包括振荡部分的微机电层，所述微机电层结合到所述集成电路的所述主体部分。
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公开(公告)号：CN104105945B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201380007577.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： C·阿卡 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯
IPC: G01C19/5712 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC classification number: G01C19/5712 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0822
Abstract: 除其他情况之外，本文档讨论了惯性传感器，其包括在器件层的x‑y平面中形成的单个质量块，所述单个质量块包括单个中心锚，所述单个中心锚被配置为使所述单个质量块悬吊在通孔晶片上方。所述惯性传感器还包括在所述惯性传感器相应的第一侧和第二侧上的所述器件层的所述x‑y平面中形成的第一电极定子框架和第二电极定子框架，所述第一电极定子框架和所述第二电极定子框架关于所述单个中心锚对称，并且每个电极定子框架独立地包括中心平台和被配置为将所述中心平台固定到所述通孔晶片上的锚，其中所述第一电极定子框架和所述第二电极定子框架的所述锚沿着所述中心平台相对于所述单个中心锚不对称。
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公开(公告)号：CN103221333B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
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