公开(公告)号：CN106744654A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611081965.3

申请日：2016-11-30

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 阮久福 ,  张称 ,  董耘琪 ,  宋哲 ,  赵欣悦 ,  黄波

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  C25D1/00

CPC classification number: B81C1/00015 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/00 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00555 ,  B81C2203/0785 ,  C25D1/00

Abstract: 本发明公开一种在硅基底上制备横向圆形金属微同轴结构的方法，首先在硅基底上涂覆PDMS做释放层，在释放层上生长金属种子层；分别制备SU‑8胶膜作为内导体的支撑体和KMPR光刻胶胶膜作为内外金属导体结构的胶膜结构；微电铸和去除KMPR胶膜结构，即可获得纵向金属微同轴结构；将纵向金属微同轴结构从硅基片上分离；最后将纵向金属微同轴结构横向键合到硅基片上，即获得纵向圆形微同轴金属结构。本发明利用释放层、UV‑LIGA光刻和键合等技术获得横向向圆形微同轴金属结构，解决了现有微米级同轴结构制备中横向圆柱结构难以实现的难题。

公开(公告)号：CN105358990A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480015707.8

申请日：2014-03-13

Applicant: 应美盛股份有限公司

Inventor： 约瑟夫·席格 ,  邱金 ,  马修·朱利安·汤普森

IPC: G01P15/08

CPC classification number: G01R33/02 ,  B81B2201/00 ,  G01P15/08 ,  G01R33/0286 ,  H01L21/00 ,  H01L2221/00

Abstract: MEMS装置包含第一质量块；第一磁化磁性材料，其部分安置在所述第一质量块的表面上；第一弹簧，其锚定在衬底上以支撑所述第一质量块；以及第一感测元件，其耦合到所述第一质量块并且可操作以感测由环境加速度引起的所述第一质量块的运动。所述MEMS装置进一步包含第二感测元件，其耦合到所述第一质量块并且可操作以感测由环境磁场引起的所述第一质量块的所述运动。

公开(公告)号：CN107963608A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711014350.3

申请日：2017-10-26

Applicant: 江苏西贝电子网络有限公司

Inventor： 陈曦 ,  瞿涛 ,  卓文君 ,  王俊力 ,  贾文章

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/00 ,  B81C1/00444 ,  B81C1/00642

Abstract: 本发明的主要在于提供一种MEMS电容阵列的电压比较法放大电路及其制作方法，将放大电路与电容结构结合，直接在原电容基础上对信号进行放大，并且采用电容阵列的形式，是结构更加稳定，能够应用于具有电容结构的传感器。

公开(公告)号：CN107010592A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610836383.5

申请日：2016-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘育嘉 ,  朱家骅 ,  郑钧文

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/00 ,  B81C1/00134

Abstract: 本发明的实施例提供了一种CMOS MEMS器件。该CMOS MEMS器件包括第一衬底、第二衬底、第一多晶硅以及第二多晶硅。第二衬底包括可移动部分，并且位于第一衬底上方。第一多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第一侧邻近。第二多晶硅穿透第二衬底且与第二衬底的可移动部分的第二侧邻近。本发明的实施例还提供了一种制造CMOS‑MEMS器件结构的方法。

公开(公告)号：CN102760588A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110103821.4

申请日：2011-04-25

Applicant: 机智创新股份有限公司

Inventor： 蔡周贤 ,  苏家庆

IPC: H01H3/02 ,  H01H3/32 ,  H01H11/00

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/00 ,  H01H9/0271 ,  H01H9/52 ,  H01H13/88 ,  H01H2203/028 ,  H01H2203/038 ,  H01H2205/004 ,  H01H2205/016 ,  H01H2229/002 ,  H01H2229/008 ,  H01H2229/012 ,  H01H2229/016 ,  H01H2229/044 ,  H01H2229/05 ,  H01L23/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/83 ,  H04L49/109

Abstract: 本发明涉及一种开关及其形成方法。该开关包括一芯片结构，该芯片结构提供一一体成型的结合面。一机械开关的致动手段可受外力以接触触及该一体成型的结合面，进而致动该芯片结构。