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公开(公告)号：CN102854204B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201210222928.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
Inventor： 安德烈·布莱姆比拉 , 派翠克·奥维尔·巴菲特
CPC classification number: G01T1/24 , G01T1/241 , G01T1/247 , G01T1/2928
Abstract: 此发明有关于电离辐射检测装置，其包含由于电极(3.1,3.2)而倾向加偏压的半导体材料的检测器(1)，其中连接至读取电路(2)的读取电极(3.2)处理其提供的信号，以拒斥造成不良光谱测定反应的信号，也就是通过诱发共享所影响的信号及可能通过电荷或电子杂讯共享所影响的信号。本发明应用于电离辐射成像。
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公开(公告)号：CN102753963B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201080063482.5
申请日：2010-11-02
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
Inventor： 派翠克·奥维尔·巴菲特 , 吉洛姆·贝尔德约蒂 , 维诺妮卡·雷布菲尔 , 尚·瑞科
IPC: G01N23/083 , G01N23/087
CPC classification number: G01N23/087
Abstract: 本发明涉及一种用于特征化材料的性质的方法，其特征在于，其包含下列步骤：-提供介于X射线光源(1)及侦测器之间的此材料的至少一个样本(100)，-使用所述X射线光源(1)使N个X射线放射光谱透射穿过所述材料，每一个达时间Δt，-计算此材料的透射函数以作为能量或侦测通道的函数，-在至少两个能量区的每一个中，计算透射函数的积分，因此形成至少一个第一透射系数(α1)及第二透射系数(α2)。
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公开(公告)号：CN102947991B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180030349.4
申请日：2011-04-20
Applicant: 法国原子能与替代能委员会 , 赫克赛尔加固材料公司
CPC classification number: C25B9/10 , H01M8/0234 , H01M2008/1095 , Y02E60/50 , Y10T29/49108
Abstract: 一种制造电化学装置的扩散层的方法，所述方法包含下列步骤：叠加碳丝的多个单向网(102，102a，102b，102c)，其中各个所述网的所述丝彼此平行且相邻设置；针刺所述多个网，破坏一部分的所述丝，使所述丝经破坏的部份缠结其它各个所述网的丝；部分的所述多个单向网的切割，其中所述碳丝形成所述扩散层的一个导电外表面；以及在针刺的步骤中，完成以及/或对于多个单向网的冲击密度大约介于100至300冲击/平方公分(impacts/cm2)间，完全穿过所述多个单向网，及/或穿过所述多个单向网的两个主要相对面(116,118)。
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公开(公告)号：CN102742030B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201080062949.4
申请日：2010-12-14
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
IPC: H01L31/048
CPC classification number: B32B17/10788 , B32B17/10018 , B32B17/10036 , B32B2327/12 , B32B2367/00 , H01L31/0481 , H01L31/0488 , Y02E10/50
Abstract: 一种电气及/或电子装置(300)，包含：-电气及/或电子组件(106a、106b)，-两材料层(102、104)，形成装置前面与背面并在被封装的电气及/或电子组件之间，电气及/或电子组件包含面对两材料层的至少二相对面(108a、108b、110a、110b)，-电气接触元件(112a、112b、114a、114b)，与电气及/或电子组件的面的其中之一接触设置，-以至少一弹性材料为基础的元件(302)，设置在两材料层的其中之一与电气接触元件之间，形成覆盖所述两材料层的其中之一的弹性材料的第一层，-以至少一弹性材料为基础的第二层(304)，其具有小于第一层中弹性材料的刚度的弹性刚度，并与弹性材料的第一层接触。
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公开(公告)号：CN102252761B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110097666.X
申请日：2011-04-18
Applicant: 法国原子能与替代能委员会 , 巫莉斯
Abstract: 本发明揭示一种电磁辐射探测装置，包括多个单元探测器(32、320)，这些单元探测器被分组成一个或多个次组合(300)，每个次组合包括多个单元探测器，其中每个单元探测器(32、320)利用互连线(32.1、320.1)连接至阻抗匹配装置(33)，其特征在于：该阻抗匹配装置(33)为单个次组合(300)的所有单元探测器(32、320)所共用；在每个次组合(300)中，这些互连线(32.1、320.1)具有大致相同的电阻值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101952978B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200880126556.8
申请日：2008-12-17
Applicant: 法国原子能与替代能委员会 , 法国圣哥班玻璃公司
IPC: H01L31/0525 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及一种属于能量恢复和变换系统的领域，特别涉及一种能够使光伏变换器和热电变换器耦合以产生电能的制造产生电能的基础装置的方法。由光吸收产生的热能，即，80﹪的光能不由光伏变换器单独使用，已知的解决方法不能满意地克服此问题，本发明通过将光伏变换器与热电变换器耦合来达成恢复热能的部分热能的目的。
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公开(公告)号：CN101951802B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN200980103406.X
申请日：2009-01-23
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
IPC: A44C17/00 , A44C27/00 , H01L21/316
CPC classification number: B44C1/00 , A44C17/00 , A44C27/00 , B44C1/22 , B44C5/0407
Abstract: 一种物体(100)，设有至少为一个的图形元件，包括至少由一金属组成的至少一层(6′、6″)，依照图形元件的图案被蚀刻，所述层的第一面被定位成面对至少部分透明的基体(2))的至少一面，第二面面对被至少一钝化层(12′)覆盖的所述层的第一面，钝化层(12′)利用晶圆结合固定到至少一支持器(20)的至少一面，和与支持器形成单石结构，所述层包括至少在第二面，使至少一区域(10)由所述金属和至少一半导体组成。
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公开(公告)号：CN102874737A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210242505.X
申请日：2012-07-12
Applicant: 法国原子能与替代能委员会 , 飞思卡尔半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B3/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C3/008 , B81C2201/019 , B81C2203/036 , G01C19/5769 , G01P15/0802 , G01P15/125 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开一种微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法，所述装置包含：第一衬底，包含称为下电极的至少一个电极，以及至少一个介电层；中间衬底，延伸横跨称为装置的主平面的平面，所述中间衬底包含移动部；上衬底，贴附至所述中间衬底，其中，所述移动部被设置为在所述下电极与所述上衬底之间移动。
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公开(公告)号：CN102782324A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080051330.3
申请日：2010-11-12
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
CPC classification number: F04B43/046 , A61M5/14586 , B81B2201/036 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0167 , B81C2201/019 , F04B43/02 , F04B43/043 , F05C2203/02 , F05C2203/06 , Y10T29/494
Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。
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公开(公告)号：CN102577134A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045508.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 法国原子能与替代能委员会
Inventor： 范伦廷·萨凡
CPC classification number: H03M13/1171 , H03M13/1111 , H04L1/0057
Abstract: 本发明关于一种用于非二元码的解码方法，特别是非二元低密度同位检查码，可通过表示N变数及M限制的二分图表示，变数自非二元字母A画它们的数值并通过在A中具有系数的矩阵(H)而被线性限制。各个变数对应至接收或读取的一段资讯并且以二元数值的p-元组的形式表现。对于各个变数，延伸二元数值通过变数的二元数值的个线性组合的手段被产生(620)。这些延伸二元数值遵守通过限制在变数上引发的称为延伸同位检查的同位检查。使传递变数的延伸二元数值至延伸同位检查为可能的同位矩阵(630)，通过执行信息传递迭代解码过程(650)的手段定义了延伸二分图(640)。
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