公开(公告)号：CN104671186A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410694629.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S.科尔布 ,  A.迈泽 ,  T.施勒泽 ,  W.维尔纳

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  G01H1/00 ,  G01H11/06 ,  G01L9/0072 ,  G01L9/12 ,  G01N27/223 ,  G01P15/125

Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。

公开(公告)号：CN104345106A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410375754.5

申请日：2014-08-01

Applicant: 克洛纳测量技术有限公司

Inventor： W.奎佩尔斯

IPC: G01N30/68

CPC classification number: B81C3/001 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00341 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/626 ,  G01N30/6095 ,  G01N30/68 ,  G01N2030/8881

Abstract: 本发明涉及用于制造功能单元的方法和相应的功能单元，具体而言描述且示出了用于制造带有气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)的功能单元的方法。本发明的目的在于，提出一种用于制造功能单元的方法，该方法在现有技术的扩展方面提供了改进。该目的在讨论的方法方面以如下方式来实现，即使得气体转换器(1)和火焰离子化检测器(10)一起在多层陶瓷(6)中制造。本发明此外涉及利用该方法制造的功能单元。

公开(公告)号：CN101479185B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200780024350.X

申请日：2007-06-14

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 马克·斯沃罗斯基 ,  大卫·D·R·谢弗里 ,  包斯卡·菲利普

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00198 ,  B81B2201/0292 ,  H03H3/0072

Abstract: 一种制造集成在硅衬底中的MEMS器件的方法。在制造MEMS器件的同时，可以加工诸如具有高电容密度的沟槽电容器之类的无源元件。该方法尤其适合于谐振频率在10MHz范围内的MEMS谐振器。

公开(公告)号：CN101927978A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010204843.5

申请日：2010-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·C·萨普 ,  李正文 ,  L·A·克莱文格 ,  K·S·彼得拉尔卡 ,  R·A·库翁 ,  C·J·雷登斯

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: B81C1/00698 ,  B81B2201/0292

Abstract: 本发明涉及具有平行板电极的自对准纳米尺寸器件。相连的深沟槽包括第一沟槽部分以及第二和第三沟槽部分，第一沟槽部分具有在第一平行侧壁的对之间的恒定宽度，第二和第三沟槽部分中的每一个具有大于第一沟槽部分的宽度且横向地连接到第一沟槽部分。采用非保形沉积工艺形成导电层，该导电层在相连的深沟槽部分内具有锥形的几何形状，以便在相连的深沟槽的底表面上不存在导电层。形成间隙填充层以填塞第一沟槽部分中的空间。将导电层构图成两个导电板，这两个导电板中的每一个具有位于第一沟槽部分内的锥形垂直部分。在去除了间隙填充层的剩余部分之后，形成了这样的器件，该器件在所述导电板的锥形垂直部分之间具有小间隔距离。

公开(公告)号：CN1681141A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510059977.1

申请日：2005-04-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山口浩文 ,  根萩隆智 ,  吉冈邦彦

IPC: H01L41/08 ,  G01N11/16

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/0292 ,  G01N9/002 ,  G01N9/36 ,  G01N11/16 ,  H01L41/0973

Abstract: 本发明的目的是提供灵敏度高的传感器元件。本发明提供的压电/电致伸缩膜元件是由在周边部上拥有较厚部的较薄隔板部的陶瓷形成的基板上，顺次叠置下部电极及辅助电极、压电/电致伸缩膜、和上部电极形成。其时，上部电极的长度为较薄隔板部的长度的30％以上(含 30％)70％以下(含70％)。

公开(公告)号：CN1675126A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818563.6

申请日：2003-05-13

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 朱尔根·A.·弗斯特纳 ,  斯蒂文·M.·史密斯 ,  雷蒙德·M.·鲁普

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2203/0735 ,  H01G5/18

Abstract: 提供了一种用来制作MEMS结构(69)的方法。根据此方法，提供了其上淀积有互连金属(53)的CMOS衬底(51)。通过选自硅和硅锗合金的材料的等离子体辅助化学气相淀积(PACVD)，在衬底上产生了MEMS结构。伴随PACVD使用的低的淀积温度使得这些材料能够在集成CMOS工艺的后端被用于制造MEMS。

公开(公告)号：CN1669177A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03817237.2

申请日：2003-06-27

Applicant: 微制造公司

Inventor： E·R·布朗 ,  J·D·艾丹斯 ,  C·A·邦格 ,  A·L·科恩 ,  M·S·洛卡德 ,  D·R·斯莫利 ,  M·格洛瑟

IPC: H01P3/06 ,  H01P5/18 ,  H01P11/00

CPC classification number: H01P11/005 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00126 ,  B81C2201/0109 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1651 ,  C25D1/003 ,  H01P1/202 ,  H01P3/06 ,  H01P5/183 ,  H01P11/00

Abstract: 提供射频和微波辐射导引或控制元件，其可为单片集成的、可由多项电沉积操作和/或由多个沉积层材料形成、可包括开关、电感器、天线、传输线、滤波器、混合耦合器、天线阵列和/或其它有源或无源元件。元件可包括可用来分离牺牲材料与结构材料的非辐射进入和非辐射离开通路。较佳的形成工艺使用电化学制造技术(例如包括选择性沉积、体块沉积、蚀刻操作及平坦化操作)以及后沉积工艺(例如选择性蚀刻操作和/或回填操作)。

公开(公告)号：CN205442631U

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201520924756.5

申请日：2015-11-19

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： G·布鲁诺 ,  S·康蒂 ,  M·基里科斯塔 ,  M·韦亚纳 ,  C·M·伊波利托 ,  M·马约雷 ,  D·卡塞拉

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2207/094 ,  G01L19/0092 ,  G01N27/223 ,  H01L23/3121 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种封装的传感器组件，其包括：封装结构(2)，其具有至少一个开口(18)；湿度传感器(5)和压力传感器(10)，其容纳在封装结构(2)的内部，并且通过开口(18)与外部流体连通；以及控制电路(7)，其操作性地耦合到湿度传感器(5)和压力传感器(10)；其中湿度传感器(5)和控制电路(7)集成在第一芯片(3)中，并且压力传感器(10)集成在与第一芯片(3)不同的第二芯片(8)中，并且键合到第一芯片(3)。

公开(公告)号：CN207061866U

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201720738434.0

申请日：2017-06-22

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·O·格西多尼

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B81B7/0067 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00182 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 本公开的实施例涉及一种换能器模块和电子装置。该换能器模块(11)包括：衬底(23)；在该衬底上的帽盖(27)，该帽盖限定腔室(8)；以及在该腔室(8)中的传感器模块(21)，该传感器模块集成面向该腔室(8)的第一MEMS换能器(12’；53)和面向该支撑衬底(23)的第二MEMS换能器(12”；54)。该帽盖具有第一开口(39)，该第一开口形成仅用于该第一环境量朝向该第一换能器的敏感元件的接入路径，并且该支撑衬底(23)具有第二开口(49)，该第二开口形成仅用于该第二环境量朝向该第二换能器的敏感元件的接入路径。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206380092U

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201621402817.2

申请日：2016-12-20

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·布廖斯基 ,  M·O·格西多尼

IPC: H04R19/04

CPC classification number: H04R19/04 ,  B06B1/0292 ,  B81B7/04 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/15151 ,  H04R1/44 ,  H04R3/005 ,  H04R7/06 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H04R2499/11 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本申请涉及多设备模块和包括该模块的装置。提供一种多设备模块，包括：第一基板，其容纳被设计成将第一环境量转换为第一电信号的第一MEMS换能器；集成电路，其被耦合到所述第一MEMS换能器以用于接收所述第一电信号；第二基板，其容纳被设计成将第二环境量转换为第二电信号的第二MEMS换能器；以及柔性印刷电路，其被机械地连接到所述第一基板和所述第二基板并且被电耦合到所述集成电路和所述第二MEMS换能器，使得所述第二电信号在使用中从所述第二MEMS换能器流向所述集成电路。本公开实施例提供了一种多设备模块，其可以根据需要被适配于不同的配置，同时降低成本和空间需求。